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tle 4208
半导体 组 8 1998-06-03
电的 特性
8 v <
V
S12
=
V
S34
< 18 v; inh
12
= inh
34
= 高;
I
out1-4
= 0 一个; – 40
°
c <
T
j
< 150
°
c;
除非 否则 指定
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
电流 消耗量
INH
12
= inh
34
= 低
安静的 电流
I
S
– – 100
µ
一个
I
S
=
I
S12
+
I
S34
安静的 电流
I
S
–2040
µ
一个
I
S
=
I
S12
+
I
S34
;
V
S12
=
V
S34
= 13.2 v;
T
j
= 25
°
C
INH
12
= 高 和 inh
34
= 低 或者 inh
12
= 低 和 inh
34
= 高
供应 电流
I
S12
,
I
S34
–1020mA–
供应 电流
I
S12
,
I
S34
– – 30 毫安
I
out1/3
= 0.4 一个
I
out2/4
= – 0.4 一个
供应 电流
I
S12
,
I
S34
– – 50 毫安
I
out1/3
= 0.8 一个
I
out2/4
= – 0.8 一个
在- 和 下面 电压 lockout
uv 转变 在 电压
V
UV 在
– 6.5 7.5 V
V
S12
,
V
S34
增加
uv 转变 止 电压
V
UV 止
56–V
V
S12
,
V
S34
减少
uv 开关 hysteresis
V
uv hy
– 0.5 – V
V
UV 在
–
V
UV 止
ov 转变 止 电压
V
OV 止
–2024V
V
S12
,
V
S34
增加
ov 转变 在 电压
V
OV 在
18 19.5 – V
V
S12
,
V
S34
减少
ov 开关 hysteresis
V
ov hy
– 0.5 – V
V
OV 止
–
V
OV 在

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tle 4208 半导体组 8 1998-06-03 电的特性 8 v < V S12 = V S34 < 18 v; inh 12 = inh 34 = 高; I out1-4 = 0 一个; – 40 ° c < T j < 150 ° c; 除非否则指定参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值电流消耗量 INH 12 = inh 34 = 低安静的电流 I S – – 100 µ 一个 I S = I S12 + I S34 安静的电流 I S –2040 µ 一个 I S = I S12 + I S34 ; V S12 = V S34 = 13.2 v; T j = 25 ° C INH 12 = 高和 inh 34 = 低或者 inh 12 = 低和 inh 34 = 高供应电流 I S12 , I S34 –1020mA– 供应电流 I S12 , I S34 – – 30 毫安 I out1/3 = 0.4 一个 I out2/4 = – 0.4 一个供应电流 I S12 , I S34 – – 50 毫安 I out1/3 = 0.8 一个 I out2/4 = – 0.8 一个在- 和下面电压 lockout uv 转变在电压 V UV 在 – 6.5 7.5 V V S12 , V S34 增加 uv 转变止电压 V UV 止 56–V V S12 , V S34 减少 uv 开关 hysteresis V uv hy – 0.5 – V V UV 在 – V UV 止 ov 转变止电压 V OV 止 –2024V V S12 , V S34 增加 ov 转变在电压 V OV 在 18 19.5 – V V S12 , V S34 减少 ov 开关 hysteresis V ov hy – 0.5 – V V OV 止 – V OV 在

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