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TLE 4262
半导体 组 8 1998-11-01
饱和 电压
V
C
– 50 100 mV
V
Q
<
V
RT
承担 电流
I
d
71014
µ
A–
延迟 切换
门槛
V
dT
1.5 1.7 2.1 V –
切换 门槛
V
ST
0.2 0.35 0.55 V –
延迟 时间
t
D
–17–ms
C
d
= 100 nf
延迟 时间
t
t
–2–
µ
s
C
d
= 100 nf
Inhibit
转变-在 电压
V
e 在
3.5 – – V ic 转变 在
转变-止 电压
V
e 止
– – 0.8 V ic 转变 止
输入 电流
I
e
51015
µ
一个
V
e
= 5 v
便条:
这 重置 输出 是 低 在里面 这 范围
V
Q
= 1 v 至
V
RT
.
特性
(内容’d)
V
I
= 13.5 v;
T
j
= 25
°
c;
V
e
> 3.5 v; (除非 指定 otherwise)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值

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TLE 4262 半导体组 8 1998-11-01 饱和电压 V C – 50 100 mV V Q < V RT 承担电流 I d 71014 µ A– 延迟切换门槛 V dT 1.5 1.7 2.1 V – 切换门槛 V ST 0.2 0.35 0.55 V – 延迟时间 t D –17–ms C d = 100 nf 延迟时间 t t –2– µ s C d = 100 nf Inhibit 转变-在电压 V e 在 3.5 – – V ic 转变在转变-止电压 V e 止 – – 0.8 V ic 转变止输入电流 I e 51015 µ 一个 V e = 5 v 便条: 这重置输出是低在里面这范围 V Q = 1 v 至 V RT . 特性 (内容’d) V I = 13.5 v; T j = 25 ° c; V e > 3.5 v; (除非指定 otherwise) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值

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