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tle 4266
半导体 组 5 1998-11-01
特性
V
I
= 13.5 v; – 40
°
C
≤
T
j
≤
125
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
输出 电压
V
Q
4.95 5.1v 5 毫安
≤
I
Q
≤
100 毫安
6 v
≤
V
i
≤
28 v
输出 电压
gsv 10-版本
V
Q
9.8 10.0 10.2 V 5 毫安
≤
I
Q
≤
100 毫安
6 v
≤
V
i
≤
28 v
输出-电流
限制
I
Q
120 150 – 毫安 –
电流 消耗量
I
q
=
I
i
–
I
Q
I
q
–010
µ
一个
V
e
= 0 v;
T
j
≤
100
°
C
电流 消耗量
I
q
=
I
i
–
I
Q
I
q
––400
µ
一个
I
Q
= 1 毫安
电流 消耗量
I
q
=
I
i
–
I
Q
I
q
– 1015mA
I
Q
= 100 毫安
漏出 电压
V
Dr
– 0.25 0.5 V
I
Q
= 100 毫安
1)
加载 规章制度
∆
V
Q
––40mV
I
Q
= 5 至 100 毫安
V
i
= 6 v
供应-电压
规章制度
∆
V
Q
– 1530mV
V
I
= 6 v 至 28 v
I
Q
= 5 毫安
供应-电压
拒绝
SVR
–54–dB
f
r
= 100 hz
V
r
= 0.5
V
SS
Inhibit
inhibit 在 电压
V
e, 在
––3.5v–
inhibit 止 电压
V
e, 止
0.8 – – V –
inhibit 电流
I
e
51525
µ
一个
V
e
= 5 v
1) 漏出 电压 =
V
i
–
V
Q
(量过的 当 这 输出 电压
V
Q
有 dropped 100 mv 从 这
名义上的 值 得到 在
V
i
= 13.5 v).

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tle 4266 半导体组 5 1998-11-01 特性 V I = 13.5 v; – 40 ° C ≤ T j ≤ 125 ° C 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值输出电压 V Q 4.95 5.1v 5 毫安 ≤ I Q ≤ 100 毫安 6 v ≤ V i ≤ 28 v 输出电压 gsv 10-版本 V Q 9.8 10.0 10.2 V 5 毫安 ≤ I Q ≤ 100 毫安 6 v ≤ V i ≤ 28 v 输出-电流限制 I Q 120 150 – 毫安 – 电流消耗量 I q = I i – I Q I q –010 µ 一个 V e = 0 v; T j ≤ 100 ° C 电流消耗量 I q = I i – I Q I q ––400 µ 一个 I Q = 1 毫安电流消耗量 I q = I i – I Q I q – 1015mA I Q = 100 毫安漏出电压 V Dr – 0.25 0.5 V I Q = 100 毫安 1) 加载规章制度 ∆ V Q ––40mV I Q = 5 至 100 毫安 V i = 6 v 供应-电压规章制度 ∆ V Q – 1530mV V I = 6 v 至 28 v I Q = 5 毫安供应-电压拒绝 SVR –54–dB f r = 100 hz V r = 0.5 V SS Inhibit inhibit 在电压 V e, 在 ––3.5v– inhibit 止电压 V e, 止 0.8 – – V – inhibit 电流 I e 51525 µ 一个 V e = 5 v 1) 漏出电压 = V i – V Q (量过的当这输出电压 V Q 有 dropped 100 mv 从这名义上的值得到在 V i = 13.5 v).

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