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tle 4278 g
半导体 组 7 1998-11-01
电的 特性
V
I
= 13.5 v; – 40
°
C
≤
T
j
≤
125
°
c (除非 否则 指定)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
输出 电压
V
Q
4.90 5.00 5.10 V 1 毫安
≤
I
Q
≤
150 毫安;
6 v
≤
V
I
≤
28 V
输出 电压
V
Q
4.8 5.0 5.2 V 1 毫安
≤
I
Q
≤
50 毫安;
28 v
≤
V
I
≤
45 V
输出 电流 限制的
I
Q
200 350 – 毫安
V
Q
=4V
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
– 180 200
µ
一个
T
j
= 25
°
c;
I
Q
= 0 毫安
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
– 180 230
µ
一个
I
Q
= 0 毫安;
T
j
= 85
°
C
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
–5 12mA
I
Q
= 150 毫安
漏出 电压;
V
DR
=
V
I
–
V
Q
V
DR
– 0.25 0.5 V
I
Q
= 150 毫安
1)
加载 规章制度
∆
V
Q
–30 –5 – mV
I
Q
= 5 至 150 毫安;
V
I
= 6 v
供应 电压
规章制度
∆
V
Q
–5 20mV
V
I
= 6 至 28 v
I
Q
= 5 毫安
重置 发生器
重置 门槛
V
RT
4.5 4.65 4.8 V radj 连接 至
地
重置 头上空间
∆
V
q,rt
180 300 – mV
I
Q
= 10 毫安
重置 调整 门槛
V
RADJTH
1.28 1.35 1.45 V
V
Q
≥
3.5 v
重置 低 电压
V
ROL
– 0.20 0.40 V
R
ext
= 10 k
Ω
至
V
Q
V
Q
≥
1 v
重置 高 电压
V
ROH
4.5 – – V –
重置 拉-向上
R
RO
20 30 45 k
Ω
内部的 连接 至
V
Q
charging 电流
I
d
25 8
µ
一个
V
D
= 1.0 V

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tle 4278 g 半导体组 7 1998-11-01 电的特性 V I = 13.5 v; – 40 ° C ≤ T j ≤ 125 ° c (除非否则指定) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值输出电压 V Q 4.90 5.00 5.10 V 1 毫安 ≤ I Q ≤ 150 毫安; 6 v ≤ V I ≤ 28 V 输出电压 V Q 4.8 5.0 5.2 V 1 毫安 ≤ I Q ≤ 50 毫安; 28 v ≤ V I ≤ 45 V 输出电流限制的 I Q 200 350 – 毫安 V Q =4V 电流消耗量 I q = I I – I Q I q – 180 200 µ 一个 T j = 25 ° c; I Q = 0 毫安电流消耗量 I q = I I – I Q I q – 180 230 µ 一个 I Q = 0 毫安; T j = 85 ° C 电流消耗量 I q = I I – I Q I q –5 12mA I Q = 150 毫安漏出电压; V DR = V I – V Q V DR – 0.25 0.5 V I Q = 150 毫安 1) 加载规章制度 ∆ V Q –30 –5 – mV I Q = 5 至 150 毫安; V I = 6 v 供应电压规章制度 ∆ V Q –5 20mV V I = 6 至 28 v I Q = 5 毫安重置发生器重置门槛 V RT 4.5 4.65 4.8 V radj 连接至地重置头上空间 ∆ V q,rt 180 300 – mV I Q = 10 毫安重置调整门槛 V RADJTH 1.28 1.35 1.45 V V Q ≥ 3.5 v 重置低电压 V ROL – 0.20 0.40 V R ext = 10 k Ω 至 V Q V Q ≥ 1 v 重置高电压 V ROH 4.5 – – V – 重置拉-向上 R RO 20 30 45 k Ω 内部的连接至 V Q charging 电流 I d 25 8 µ 一个 V D = 1.0 V

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