TLE5203_集成电路资料查询网

半导体 组 7 1998-02-01
tle 5203
1)
在 超载 情况 电流 高等级的 比 4 一个 能 dynamically 出现, 在之前 这 设备 shuts 止, 没有
任何 损害的 这 设备.
2)
取决于 在 加载 高等级的 发生率 是 可能.
绝对 最大 比率
T
j
= – 40 至 150
°
C
参数 标识 限制 值 单位 Remarks
最小值 最大值
电压
供应 电压
供应 电压
逻辑 输入 电压
diagnostics 输出 电压
V
S
V
S
V
I1 , 2
V
EF
– 0.3
– 1
– 0.3
– 0.3
40
–
7
7
V
V
V
V
–
t
< 500 ms;
I
S
< 5 一个
V
S
= 0 – 40 v
–
电流
自由-转动 电流
输出 电流
1)
I
F
I
Q
– 4
– 4
4
4
一个
一个
T
j
≤
150
°
C
–
接合面 温度
存储 温度
T
j
T
stg
– 40
– 50
150
150
°
C
°
C
–
–
热的 阻抗
接合面-情况
接合面-包围的
R
th jc
R
th ja
–
–
4
65
k/w
k/w
–
–
运行 范围
供应 电压
逻辑 输入 电压
切换 频率
2)
接合面 温度
V
S
V
I1 , 2
f
T
j
6
– 0.3
–
– 40
24
7
1
150
V
V
kHz
°
C
–
–
–
–

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半导体组 7 1998-02-01 tle 5203 1) 在超载情况电流高等级的比 4 一个能 dynamically 出现, 在之前这设备 shuts 止, 没有任何损害的这设备. 2) 取决于在加载高等级的发生率是可能. 绝对最大比率 T j = – 40 至 150 ° C 参数标识限制值单位 Remarks 最小值最大值电压供应电压供应电压逻辑输入电压 diagnostics 输出电压 V S V S V I1 , 2 V EF – 0.3 – 1 – 0.3 – 0.3 40 – 7 7 V V V V – t < 500 ms; I S < 5 一个 V S = 0 – 40 v – 电流自由-转动电流输出电流 1) I F I Q – 4 – 4 4 4 一个一个 T j ≤ 150 ° C – 接合面温度存储温度 T j T stg – 40 – 50 150 150 ° C ° C – – 热的阻抗接合面-情况接合面-包围的 R th jc R th ja – – 4 65 k/w k/w – – 运行范围供应电压逻辑输入电压切换频率 2) 接合面温度 V S V I1 , 2 f T j 6 – 0.3 – – 40 24 7 1 150 V V kHz ° C – – – –

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