DG221
Siliconix
s-52881—rev. c, 28-apr-97
3
规格
一个
测试 情况
除非 否则 指定
一个 后缀
–55 至 125
C
d 后缀
–40 至 85
C
参数 标识
v+ = 15 v, v– = –15 v
V
在
= 2.4 v, 0.8
f
v, W R = 0
温度
b
Typ
c
最小值
d
最大值
d
最小值
d
最大值
d
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
e
V
相似物
全部 –15 15 –15 15 V
流-源
在-阻抗
r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
=
10 v
房间
全部
60 90
135
90
135
源 止
泄漏 电流
I
s(止)
V
S
=
14 V V
D
=
14 V
房间
全部
0.01 –1
–100
1
100
–5
–100
5
100
流 止
泄漏 电流
I
d(止)
V
S
=
14 v, v
D
=
14 v
房间
全部
0.02 –1
–100
1
100
–5
–100
5
100
nA
流 在
泄漏 电流
I
d(在)
V
S
= v
D
=
14 v
房间
全部
0.01 –1
–200
1
200
–5
–200
5
200
数字的 控制
输入 电流 I
INL
, i
INH
V
在
= 0 v 或者 = 2.4 v
房间
全部
–0.0004 –1
–10
1
10
–1
–10
1
10
一个
动态 特性
转变-在 时间 t
在
看 图示 2
房间 550 550
转变-止 时间 t
止
看 图示 2
房间 340 340
转变-在 时间 写 t
在
, wr
看 图示 3
房间 550 550
转变-止 时间 写 t
止
, wr
看图示 3
房间 340 340
ns
写 脉冲波 宽度 t
W
房间 120 150 150
输入 建制 时间 t
S
看 图示 4
房间 130 180 180
输入 支撑 时间 t
H
全部 0 20 20
承担 injection Q
C
L
= 1000 pf
V
GEN
= 0 v, r
GEN
= 0
房间 20 pC
源-止 电容 C
s(止)
房间 8
流-止 电容 C
d(止)
f = 1 mhz, v
S
, v
D
= 0 v
房间 9
pF
频道-在 电容 C
d(在)
房间 29
止 分开 OIRR
V
S
= 1 v
p-p
, f = 100 khz
房间 70
dB
interchannel 串扰 X
TALK
S pp
C
L
= 15 pf, r
L
= 1 k
房间 90
dB
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
所有 途径 在 或者 止
全部 0.8 1.5 1.5
毫安
负的 供应 电流 I–
V
在
= 0 v 或者 2.4 v
房间 –0.4 –1 –1
毫安
注释:
一个. 谈及 至 处理 选项 flowchart.
b. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 薄板.
e. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
f. V
在
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
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