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资料编号:1063849
 
资料名称:ND2406L
 
文件大小: 73107K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistors
 
 


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nd2406l/2410l, bss129
4 Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
典型 特性 (25
c 除非 否则 指出) (内容’d)
10 k
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
1
0.01
0.1
0.01
0.1 1 10010 1 k
向前 跨导 vs. 流 电流
normalized 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (至-226aa)
电容 加载 情况 影响 在 切换
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
t
1
– 正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
I
D
– 流 电流 (毫安)V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
t – 切换 时间 (ns)
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 156
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
注释:
P
DM
t
2
I
D
– 流 电流 (毫安)T
J
– 接合面 温度 (
c)
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗
(normalized)
normalized 在-阻抗
vs. 接合面 温度
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
240
200
160
0
010 50
120
80
20 30 40
40
C
iss
C
rss
C
oss
1 100
300
100
3
10
10
t
f
t
d(止)
t
r
t
d(在)
V
DD
= 25 v
V
GS
= 0 至 –5 v
R
G
= 25
350
150
50
1 10 100 1 k
250
200
100
300
0
–55
C
150
C
25
C
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试 80
s,
1% 职责 循环
2.25
2.00
1.75
0.50
–50 –10 150
1.50
1.25
30 70 110
1.00
0.75
V
GS
= 0 v
I
D
= 30 毫安
V
GS
= –5 v
f = 1 mhz
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