2n/sst5484 序列
4 Siliconix
p-37410—rev. d, 04-jul-94
典型 特性
在-阻抗 和 输出 conductance
vs. 门-源 截止 电压
r
DS
g
os
r
DS
@ i
D
= 1 毫安, v
GS
= 0 v
g
os
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
流 电流 和 跨导
vs. 门-源 截止 电压
– 饱和 流 电流 (毫安)
I
DSS
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
I
DSS
g
fs
I
DSS
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
g
fs
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v)
V
DG
– 流-门 电压 (v) I
D
– 流 电流 (毫安)
V
DS
– 流-源 电压 (v) V
DS
– 流-源 电压 (v)
门 泄漏 电流
– 门 泄漏
I
G
0.1 毫安
I
GSS
@ 25
C
T
一个
= 25
C
T
一个
= 125
C
I
GSS
@
125
C
输出 特性 输出 特性
一般-源 向前
跨导 vs. 流 电流
0.1 1 10
10
8
0
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
V
gs(止)
= –3 v
T
一个
= –55
C
25
C
125
C
–0.2 v
–0.4 v
–0.6 v
–0.8 v
–1.2 v
–1.0 v
V
GS
= 0 v
–0.6 v
–0.9 v
–1.2 v
–1.5 v
–1.8 v
V
GS
= 0 v
–0.3 v
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
10
8
0
6
4
2
20
0
16
12
8
4
0 –10–2 –4 –6 –8
100
80
0
60
40
20
500
0
400
300
200
100
0 –10–2 –4 –6 –8
012841620
0.1 pa
1 pa
10 pa
100 pa
1 na
10 na
100 na
6
4
2
10
0
8
6
4
2
01024 68
15
0
12
9
6
3
01024 68
V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v)
V
DS
= 10 v
f = 1 khz
V
gs(止)
= –2 v V
gs(止)
= –3 v
I
D
= 5 毫安
1 毫安
0.1 毫安
I
D
= 5 毫安
1 毫安
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 ( )
s)g
fs
– 向前 跨导 (
–1.4 v
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