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vishay lite–on 电源 半导体
rev. a2,24-六月-982 (4)
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
10
20
0 25 50 75 100 125 150
30
40
15741
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
i – 平均 向前 电流 ( 一个 )
FAV
挂载 在 一个
220 x 220 x 50 mm
al 加设护板 散热器
resistive 或者 inductive 加载
图示 1. 最大值 平均 向前 电流 vs.
包围的 温度
0.01
0.1
1.0
10
100
0 0.4 0.8 1.0 1.6 1.80.60.2 1.2 1.4
I
F
脉冲波 宽度 = 300
µ
s
15742
i – 向前 电流 ( 一个 )
F
V
F
– 向前 电压 ( v )
T
j
= 25
°
C
图示 2. 典型值 向前 电流 vs. 向前 电压
0
100
200
300
400
1 10 100
单独的 half sine–wave
(电子元件工业联合会 方法)
i – 顶峰 向前 surge 电流 ( 一个 )
FSM
号码 的 循环 在 60 hz
15743
T
j
= 150
°
C
图示 3. 最大值 顶峰 向前 surge 电流 vs.
号码 的 循环
0.1
1.0
10
400 60 80 100 120 140
0.01
20
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
15744
T
j
= 25
°
C
T
j
= 100
°
C
i – 反转 电流 ( 一个 )
R
m
图示 4. 典型值 反转 电流 vs. 百分比 的
评估 顶峰 反转 电压
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