CRS09
2000-03-07 1/4
toshiba 肖特基 屏障 整流器 肖特基 屏障 类型
c r s 0 9
切换 类型 电源 供应 产品
可携带的 设备 电池 产品
•
向前 电压: v
FM
=
0.46 v (最大值)
•
平均 向前 电流: i
f (av)
=
1.5 一个
•
repetitive 顶峰 反转 电压: v
RRM
=
30 v
•
小 包装: “s-flat
TM
” (toshiba designation)
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
电的 特性
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
fm (1)
I
FM
=
0.1 一个
0.35
V
fm (2)
I
FM
=
1.0 一个
0.415
顶峰 向前 电压
V
fm (3)
I
FM
=
1.5 一个
0.43 0.46
V
I
rrm (1)
V
RRM
=
5 v
0.8
repetitive 顶峰 反转 电流
I
rrm (2)
V
RRM
=
30 v
10 50
µ
一个
接合面 电容 C
j
V
R
=
10 v, f
=
1.0 mhz
90
pF
在 陶瓷的 基质
(焊接 地带 2 mm
×
2 mm)
70
热的 阻抗 R
th (j-一个)
在 glass-环氧的 基质
(焊接 地带 6 mm
×
6 mm)
140
°c/w
特性 标识 比率 单位
repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
30 v
平均 向前 电流 I
f (av)
1.5 一个
顶峰 一个 循环 surge 向前 电流
(非-repetitive)
I
FSM
30 (50 hz) 一个
接合面 温度 T
j
−
40~150 °c
存储 温度 T
stg
−
40~150 °c
•
toshiba 是 continually working 至 改进 这 质量 和 这 可靠性 的 它的 产品. nevertheless, 半导体 设备在
一般 能 运转 或者 失败 预定的 至 它们的 固有的 电的 敏锐的 和 vulnerability 至 物理的 压力. 它 是 这 responsibility o
f
这 buyer, 当 utilizing toshiba 产品, 至 注意到 standards 的 安全, 和 至 避免 situations 在 这个 一个 运转 或者 failure
的 一个 toshiba 产品 可以 导致 丧失 的 人 生命, bodily 伤害 或者 损坏 至 所有物. 在 developing your 设计, please
确保 那 toshiba 产品 是 使用 在里面 指定 运行 范围 作 设置 forth 在 这 大多数 recent 产品 规格.
也, 请 保持 在 mind 这 预防措施 和 情况 设置 forth 在 这 toshiba 半导体 可靠性 handbook.
•
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•
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