CY7C1339
8
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压 3.3v
−
5%/+10% 3.135 3.6 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 2.5v
−
5% 至 3.3v
+10% 2.375 3.6 V
V
OH
输出 高 电压 V
DD
= 最小值., i
OH
=
−
4.0 毫安 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
DD
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
DD
+
0.3v
V
V
IL
输入 低 电压
[7]
−
0.3
0.8 V
I
X
输入 加载 电流
除了 zz 和 模式
地
≤
V
I
≤
V
DDQ
−
5
5
µ
一个
输入 电流 的 模式 输入 = v
SS
−
30
µ
一个
输入 = v
DDQ
5
µ
一个
输入 电流 的 zz 输入 = v
SS
−
5
µ
一个
输入 = v
DDQ
30
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
地
≤
V
I
≤
V
ddq,
输出 无能
−
5
5
µ
一个
I
DD
V
DD
运行 供应
电流
V
DD
= 最大值., i
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
6 ns 循环, 166 mhz 420 毫安
7.5 ns 循环, 133 mhz 375 毫安
10 ns 循环, 100 mhz 325 毫安
I
SB1
自动 cs
电源-向下
电流
—
ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
在
≥
V
IH
或者 v
在
≤
V
IL
f = f
最大值
= 1/t
CYC
6 ns 循环, 166 mhz 35 毫安
7.5 ns 循环, 133 mhz 30 毫安
10 ns 循环, 100 mhz 25 毫安
I
SB2
自动 cs
电源-向下
电流
—
cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected, v
在
≤
0.3v 或者 v
在
> v
DDQ
–
0.3v, f = 0
所有 speeds 10 毫安
I
SB3
自动 cs
电源-向下
电流
—
cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected, 或者
V
在
≤
0.3v 或者 v
在
> v
DDQ
–
0.3v
f = f
最大值
= 1/t
CYC
6 ns 循环, 166 mhz 10 毫安
7.5 ns 循环, 133 mhz 10 毫安
10 ns 循环, 100 mhz 10 毫安
I
SB4
自动 cs
电源-向下
电流
—
ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
在
≥
V
IH
或者 v
在
≤
V
IL
, f = 0
18 毫安
电容
[9]
参数 描述 测试 情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 T
一个
= 25
°
c,f= 1MHz,
V
DD
= 3.3v.
V
DDQ
= 3.3v
4 pF
C
CLK
时钟 输入 电容 4 pF
C
i/o
输入/输出 电容 4 pF
便条:
9. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
: 点此下载
