W207B
初步的
9
绝对 最大 比率
压力 更好 比 那些 列表 在 这个 表格 将 导致 每-
manent 损坏 至 这 设备. 这些 代表 一个 压力 比率
仅有的. 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 指定 在 这 运行 sections 的 这个 specifi-
cation 是 不 暗指. 最大 情况 为 扩展 peri-
ods 将 影响 可靠性.
.
参数 描述 比率 单位
V
DD
, v
在
电压 在 任何 管脚 和 遵守 至 地
–
0.5 至 +7.0 V
T
STG
存储 温度
–
65 至 +150
°
C
T
一个
运行 温度 0 至 +70
°
C
T
B
包围的 温度 下面 偏差
–
55 至 +125
°
C
静电释放
PROT
输入 静电释放 保护 2 (最小值.) kV
3.3v 直流 电的 特性
(cpu3.3#_2.5 输入 = 0)
T
一个
= 0
°
c 至 +70
°
c, v
DDQ3
= v
DDQ2
= 3.3v±5% (3.135
–
3.465v)
参数 描述 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电流
I
DD
联合的 3.3v 供应 电流 cpu0:2 =133 mhz
输出 承载
[2]
350 毫安
逻辑 输入 (所有 关联 至 v
DDQ3
= 3.3v)
V
IL
输入 低 电压 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
I
IL
输入 低 电流
[3]
10 µA
I
IH
输入 高 电流
[3]
10 µA
时钟 输出
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 1 毫安 50 mV
V
OH
输出 高 电压 I
OH
=
–
1 毫安 3.1 V
I
OL
输出 低 电流 cpu0:2 V
OL
= 1.5v 55 75 105 毫安
sdram0:13 80 110 155
pci0:6 55 75 105
REF0 60 75 90
REF1 45 60 75
48/24 mhz 55 75 105
I
OH
输出 高 电流 cpu0:2 V
OH
= 1.5v 55 85 125 毫安
sdram0:13 80 120 175
pci0:6 55 85 125
REF0 60 85 110
REF1 45 65 90
48/24 mhz 55 85 125
结晶 振荡器
V
TH
x1 输入 门槛 电压
[4]
1.65 V
C
加载
加载 电容, imposed 在
外部 结晶
[5]
18 pF
C
在,x1
x1 输入 电容
[6]
管脚 x2 unconnected 28 pF
注释:
2. 所有 时钟 输出 承载 和 6" 60
Ω
传递 线条 和 22-pf 电容.
3. w207b 逻辑 输入 有 内部的 拉-向上 设备 (拉-ups 不 全部 cmos 水平的).
4. x1 输入 门槛 电压 (典型) 是 v
DDQ3
/2.
5. 这 w207b 包含 一个 内部的 结晶 加载 电容 在 管脚 x1 和 地面 和 另一 在 管脚 x2 和 地面. 总的加载 放置 在 结晶 是
18 pf; 这个 包含 典型 偏离 电容 的 短的 pcb 查出 至 结晶.
6. x1 输入 电容 是 适用 当 驱动 x1 和 一个 外部 时钟 源 (x2 是 left unconnected).
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