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资料编号:1067803
 
资料名称:IRFR410
 
文件大小: 57018K
   
说明
 
介绍:
1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4-403
内部的 流 电感 L
D
量过的 从 这
流 含铅的, 6mm
(0.25in) 包装
至 中心 的 消逝
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
内部的 设备
Inductances
- 4.5 - nH
内部的 源 电感 L
S
量过的 从 这
源 含铅的, 6mm
(0.25in) 从 标头
至 源 使牢固结合 垫子
- 7.5 - nH
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 3.0
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
自由 空气 运作 - - 110
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 源 至 流 电流 I
SD
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管
- - 1.5 一个
脉冲波 源 至 流 电流
(便条 3)
I
SDM
- - 3.0 一个
源 至 流 二极管 电压 (便条 2) V
SD
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 1.5a, v
GS
= 0v, (图示 11) - - 2.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 1.5a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s 130 - 520 ns
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线. (图示 3)
4. V
DD
= 50v, 开始 t
J
= 25
o
c, l = 40
µ
h, r
G
= 25
, 顶峰 i
= 1.5a.
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
L
S
L
D
G
D
S
G
D
S
0 50 100 150
0
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25 50 75 100 125 150
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
D
, 流 电流 (一个)
irfr410, irfu410
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