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资料编号:106895
 
资料名称:BC858ALT1G
 
文件大小: 109.14K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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bc856alt1 序列
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5
图示 13. 热的 回馈
t, 时间 (ms)
1.0
r(t), 瞬时 热的
2.0 5.01.00.50.20.1
阻抗 (normalized)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
20 5010 200 500100 1.0k 2.0k 5.0k 10k
图示 14. 起作用的 区域 safe 运行 范围
V
CE
, collector−emitter 电压 (v)
−200
−1.0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
T
一个
= 25
°
C
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
单独的 脉冲波
单独的 脉冲波
使牢固结合 线 限制
热的 限制
第二 损坏 限制
3 ms
T
J
= 25
°
C
Z
JC
(t) = r(t) r
JC
R
JC
= 83.3
°
c/w 最大值
Z
JA
(t) = r(t) r
JA
R
JA
= 200
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
− t
C
= p
(pk)
R
JC
(t)
t
1
t
2
P
(pk)
职责 循环, d = t
1
/t
2
−100
−50
−10
−5.0
−2.0
−5.0 −10 −30 −45 −65 −100
1 s
bc558, bc559
BC557
BC556
这 safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
−V
CE
限制 的
这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的 运作.
集电级 加载 线条 为 明确的 电路 必须 下降 在下 这
限制 表明 用 这 适用 曲线.
这 数据 的 图示 14 是 为基础 在之上 t
j(pk)
= 150
°
c; t
C
或者
T
一个
是 能变的 取决于 在之上 情况. 脉冲波 曲线 是
有效的 为 职责 循环 至 10% 提供 t
j(pk)
150
°
c. t
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在 图示 13. 在 高 情况 或者
包围的 温度, 热的 限制 将 减少 这
电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这 限制
imposed 用 这 secondary 损坏.
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