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整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. C
04/15/05
IS61LV5128AL
ISSI
®
t
RC
t
OHA
t
AA
t
DOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZOE
高-z
数据 有效的
ce_rd2.eps
地址
OE
CE
D
输出
t
HZCE
读 循环 非. 2
(1,3)
(
CE
和
OE
控制)
注释:
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2. 这 设备 是 continuously 选择.
OE
,
CE
= v
IL
.
3. 地址 是 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
CE
低 transitions.
交流 波形
读 循环 非. 1
(1,2)
(地址 控制) (
CE
=
OE
= v
IL
)
数据 有效的
read1.eps
previous 数据 有效的
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
输出
地址