4
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
rev. C
04/15/05
IS61LV5128AL
ISSI
®
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
DD
= 最小值., i
OH
= –4.0 毫安 2.4 — V
V
OL
输出 低 电压 V
DD
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安 — 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
DD
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–0.3 0.8 V
I
LI
输入 泄漏 地
≤
V
在
≤
V
DD
com. –2 2 µA
ind. –5 5
I
LO
输出 泄漏 地
≤
V
输出
≤
V
DD
, 输出 无能 com. –2 2 µA
ind. –5 5
便条:
1. V
IL
= –3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 10 ns.
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-10 -12
标识 Parameter 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
I
CC
V
DD
动态 运行 V
DD
= 最大值., com. — 90 — 85 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = f
最大值
ind. — 95 — 90
I
SB
ttl 备用物品 电流 V
DD
= 最大值., com. — 40 — 35 毫安
(ttl 输入) V
在
= v
IH
或者 v
IL
ind. — 45 — 40
CE
≥
V
IH
, f = f
最大值
.
I
SB
1
ttl 备用物品 电流 V
DD
= 最大值., com. — 20 — 20 毫安
(ttl 输入) V
在
= v
IH
或者 v
IL
ind. — 25 — 25
CE
≥
V
IH
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
DD
= 最大值., com. — 15 — 15 毫安
电流 (cmos 输入)
CE
≥
V
DD
– 0.2v, ind. — 20 — 20
V
在
≥
V
DD
– 0.2v, 或者
V
在
≤
0.2v, f = 0
便条:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.
: 点此下载
