MCR218-2_集成电路资料查询网

mcr218–2, mcr218–4, mcr218–6
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3
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
DRM
在 v
DRM
I
H
标识 参数
V
DRM
顶峰 repetitive 止 状态 向前 电压
I
DRM
顶峰 向前 blocking 电流
V
RRM
顶峰 repetitive 止 状态 反转 电压
I
RRM
顶峰 反转 blocking 电流
V
TM
顶峰 在 状态 电压
I
H
支持 电流
电压 电流 典型的 的 scr
anode +
在 状态
反转 blocking 区域
(止 状态)
反转 avalanche 区域
anode –
向前 blocking 区域
I
RRM
在 v
RRM
(止 状态)
I
t(av)
, 平均 在-状态 向前 电流 (放大器)
T
C
,Maximum alloWABLe cASETEMPER 在URE ( C)
°
85
95
105
115
125
87654321
直流
0
75
α
= 30
°
90
°
120
°
180
°
60
°
α
= 传导 角度
I
t(av)
, avg. 在-状态 电流 (放大器)
P
(av)
, 平均 在-状态 电源 消耗
3.0
6.0
9.0
12
15
8.07.06.05.04.03.02.01.0
直流
0
0
α
= 30
°
90
°
120
°
180
°
60
°
α
= 传导 角度
(watts)
α
α
图示 1. 电流 减额 图示 2. on–state 电源 消耗

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mcr218–2, mcr218–4, mcr218–6 http://onsemi.com 3 + 电流 + 电压 V TM I DRM 在 v DRM I H 标识参数 V DRM 顶峰 repetitive 止状态向前电压 I DRM 顶峰向前 blocking 电流 V RRM 顶峰 repetitive 止状态反转电压 I RRM 顶峰反转 blocking 电流 V TM 顶峰在状态电压 I H 支持电流电压电流典型的的 scr anode + 在状态反转 blocking 区域 (止状态) 反转 avalanche 区域 anode – 向前 blocking 区域 I RRM 在 v RRM (止状态) I t(av) , 平均在-状态向前电流 (放大器) T C ,Maximum alloWABLe cASETEMPER 在URE ( C) ° 85 95 105 115 125 87654321 直流 0 75 α = 30 ° 90 ° 120 ° 180 ° 60 ° α = 传导角度 I t(av) , avg. 在-状态电流 (放大器) P (av) , 平均在-状态电源消耗 3.0 6.0 9.0 12 15 8.07.06.05.04.03.02.01.0 直流 0 0 α = 30 ° 90 ° 120 ° 180 ° 60 ° α = 传导角度 (watts) α α 图示 1. 电流减额图示 2. on–state 电源消耗

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