整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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1
rev. C
04/15/05
IS61LV5128AL
ISSI
®
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512k x 8 高-速 cmos 静态的 内存
april 2005
特性
• 高-速 进入 时间:
10, 12 ns
• 高-效能, 低-电源 cmos 处理
• 多样的 中心 电源 和 地面 管脚 为
更好 噪音 免除
• 容易 记忆 expansion 和
CE
和
OE
选项
•
CE
电源-向下
• 全部地 静态的 运作: 非 时钟 或者 refresh
必需的
• ttl 兼容 输入 和 输出
• 单独的 3.3v 电源 供应
• 包装 有:
– 36-管脚 400-mil soj
– 36-管脚 minibga
– 44-管脚 tsop (类型 ii)
• 含铅的-自由 有
描述
这
ISSI
is61lv5128al 是 一个 非常 高-速, 低 电源,
524,288-文字 用 8-位 cmos 静态的 内存. 这
is61lv5128al 是 fabricated 使用
ISSI
's 高-执行-
ance cmos 技术. 这个 高级地 可依靠的 处理
结合 和 革新的 电路 设计 技巧, 产量
高等级的 效能 和 低 电源 消耗量 设备.
当
CE
是 高 (deselected), 这 设备 假设 一个
备用物品 模式 在 这个 这 电源 消耗 能 是
减少 向下 至 250 µw (典型) 和 cmos 输入 水平.
这 is61lv5128al 运作 从 一个 单独的 3.3v 电源
供应 和 所有 输入 是 ttl-兼容.
这 is61lv5128al 是 有 在 36-管脚 400-mil soj, 36-
管脚 迷你 bga, 和 44-管脚 tsop (类型 ii) packages.
函数的 块 图解
a0-a18
CE
OE
我们
512k x 8
记忆 排列
解码器
column i/o
控制
电路
地
V
DD
i/o
数据
电路
i/o0-i/o7