mr750 序列
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4
图示 5. 最大 电流 比率
T
L
, 含铅的 温度 (
°
c)
0
8.0
I
f(av)
0
12
20
28
40 80 120 160 200
图示 6. 最大 电流 比率
0 8.0
4.0
0
16 24 32
I
f(av)
, 平均 向前 电流 (放大器)
P
f(av)
图示 7. 电源 消耗
, 电源 消耗 (watts)
5/8”
, 平均 向前 电流 (放大器)
电容 负载
8.0
12
16
resistive inductive
负载
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
0
1.0
I
f(av)
0
2.0
3.0
4.0
40 80 120 160 200
图示 8. 稳步的 状态 热的 阻抗
f = 60 hz
, 平均 向前 电流 (放大器)
resistive inductive 负载
电容 负载 – 1
F
&放大; 3
F
20
6
F
1
F
&放大; 3
F
20 i
avg
T
一个(一个)
T
一个(k)
T
l(一个)
T
c(一个)
T
J
T
c(k)
T
l(k)
P
F
R
θ
s(一个)
R
θ
l(一个)
R
θ
j(一个)
R
θ
j(k)
R
θ
l(k)
R
θ
s(k)
使用 的 这 在之上 模型 准许 接合面 至 含铅的 热的 阻抗 为
任何 挂载 配置 至 是 建立. 最低 值 出现 当 一个
一侧 的 这 整流器 是 brought 作 关闭 作 可能 至 这 热温 下沉 作
显示 在下. 条款 在 这 模型 signify:
T
一个
= 包围的 温度 T
C
= 情况 温度
T
L
= 含铅的 温度 T
J
= 接合面 温度
R
q
S
= 热的 阻抗, 热温 下沉 至 包围的
R
q
L
= 热的 阻抗, 含铅的 至 热温 下沉
R
q
J
= 热的 阻抗, 接合面 至 情况
P
F
= 电源 消耗
(subscripts 一个 和 k 谈及 至 anode 和 cathode sides, 各自.)
值 为 热的 阻抗 组件 是:
R
q
L
= 40
°
c/w/在. 典型地 和 44
°
c/w/在 最大.
R
q
J
= 2
°
c/w 典型地 和 4
°
c/w 最大.
自从 r
q
J
是 所以 低, 度量 的 这 情况 温度, t
C
, 将 是
大概 equal 至 接合面 温度 在 实际的 含铅的 挂载
产品. 当 使用 作 一个 60 hz rectifierm 这 慢 热的 回馈
holds t
j(pk)
关闭 至 t
j(avg)
. 因此 最大 含铅的 温度 将
是 建立 从: t
L
= 175
°
–R
θ
JL
P
F
. p
F
将 是 建立 从 图示 7.
这 推荐 方法 的 挂载 至 一个 p.c. 板 是 显示 在 这
sketch, 在哪里 r
θ
JA
是 大概 25
°
c/w 为 一个 1–1/2” x 1–1/2” 铜
表面 范围. 值 的 40
°
c/w 是 典型 为 挂载 至 终端 strips
或者 p.c. boards 在哪里 有 表面 范围 是 小.
ÉÉ
ÉÉ
ÉÉ
ÉÉ
ÉÉ
ÉÉ
ÉÉ
ÉÉ
板 地面 平面
推荐 挂载 为 half 波 电路
24
28
32
0 1/4
5.0
0
1/2 3/4 1.0
l, 含铅的 长度 (英寸)
R
JL
, 热的 阻抗,
单独的 含铅的 至 热温 下沉,
微不足道的 热温 流动
通过 其它 含铅的
10
15
20
25
30
35
40
24
16
4.0
20 60 100 140 180
4.0 12 20 28
1/8 3/8 5/8 7/8
θ
junction–to–lead( c/w)
°
两个都 leads 至 热温
下沉 和 长度
作 显示
3/8”
1/4”
l = 1/8”
20 60 100 140 180
5.0
6.0
7.0
I
(pk)
= 5 i
avg
I
(pk)
= 10 i
avg
I
(pk)
= 20 i
avg
10 i
avg
I
(pk)
= 5 i
avg
resistive – inductive 负载
两个都 leads 至 热温
下沉, equal 长度
6
F
(i
PK
/i
AVE
= 6.28)
看 便条
R
θ
JA
= 40
°
c/w
看 便条
R
θ
JA
= 25
°
c/w
注释
热的 电路 模型
(为 热温 传导 通过 这 leads)
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