lincmos 和 先进的 lincmos 是 商标 的 德州 器械 组成公司的.
TLC3702
双 微小功率 lincmos
电压 comparators
slcs013d – 十一月 1986 – 修订 十一月 1998
7
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
principles 的 运作
LinCMOS
处理
这 lincmos
处理 是 一个 直线的 polysilicon-门 cmos 处理. primarily 设计 为 单独的-供应
产品, lincmos
产品 facilitate 这 设计 的 一个 宽 范围 的 高-效能 相似物 功能
从 运算的 放大器 至 complex mixed-模式 转换器.
当 数字的 designers 是 experienced 和 cmos, mos 科技 是 相当地 新 为 相似物 designers.
这个 短的 手册 是 将 至 answer 这 大多数 frequently asked questions related 至 这 质量 和 可靠性
的 lincmos
产品. 更远 questions 应当 是 directed 至 这 最近的 德州仪器 地方 销售 办公室.
静电的 释放
cmos 电路 是 prone 至 门 oxide 损坏 当 exposed 至 高 电压 甚至 如果 这 暴露 是 仅有的
为 非常 短的 时期 的 时间. 静电的 释放 (静电释放) 是 一个 的 这 大多数 一般 导致 的 损坏 至
cmos 设备. 它 能 出现 当 一个 设备 是 处理 没有 恰当的 仔细考虑 为 自然环境的
静电的 charges, e.g., 在 板 组装. 如果 一个 电路 在 这个 一个 放大器 从 一个 双 运算 放大 是 正在
使用 和 这 unused 管脚 是 left 打开, 高 电压 tend 至 开发. 如果 那里 是 非 provision 为 静电释放 保护,
这些 电压 将 eventually punch 通过 这 门 oxide 和 导致 这 设备 至 失败. 至 阻止 电压
buildup, 各自 管脚 是 保护 用 内部的 电路系统.
标准 静电释放-保护 电路 safely 调往 这 静电释放 电流 用 供应 一个 mechanism 凭此 一个 或者 更多
晶体管 破裂 向下 在 电压 高等级的 比 这 正常的 运行 电压 但是 更小的 比 这 损坏
电压 的 这 输入 门. 这个 类型 的 保护 scheme 是 限制 用 泄漏 电流 这个 流动 通过 这
shunting 晶体管 在 正常的 运作 之后 一个 静电释放 电压 有 occurred. 虽然 这些 电流 是
小, 在 这 顺序 的 tens 的 nanoamps, cmos 放大器 是 常常 指定 至 绘制 输入 电流 作 低 作
tens 的 picoamps.
至 克服 这个 限制, 德州仪器 设计 engineers 开发 这 专利的 静电释放-保护 电路 显示 在
图示 1. 这个 电路 能 承受 一些 successive 2-kv 静电释放 脉冲, 当 减少 或者 eliminating 泄漏
电流 那 将 是 描绘 通过 这 输入 管脚. 一个 更多 详细地 discussion 的 这 运作 的 这 德州仪器
静电释放-保护 电路 是 提交 在 这 next 页.
所有 输入 和 输出 管脚 在 lincmos
和 先进的 lincmos
产品 有 有关联的 静电释放-保护
电路系统 那 undergoes 资格 测试 至 承受 2000 v 释放 从 一个 100-pf 电容 通过
一个 1500-
Ω
电阻 (人 身体 模型) 和 200 v 从 一个 100-pf 电容 和 非 电流-限制的 电阻
(charged 设备 模型). 这些 tests simulate 两个都 运行器 和 机器 处理 的 设备 在 正常的
测试 和 组装 行动.
至 保护 电路
D3
R2
Q2
D2D1
Q1
输入
地
R1
V
DD
图示 1. lincmos
静电释放-保护 图式
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