TPIC5404
h-桥 电源 dmos 排列
slis023b – march 1994 – 修订 九月 1995
2–6
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
参数 度量 信息
V
DD
= 25 v
245
µ
H
I
D
t
w
t
av
I
作
V
(br)dsx
= 60 v 最小值
电压 和 电流 波形
0 v
0 v
0 v
I
D
V
DS
DUT
V
DS
测试 电路
(看 便条 一个)
(看 便条 b)
脉冲波 发生器
50
Ω
R
gen
50
Ω
V
GS
V
GS
15
V
注释: 一个. 这 脉冲波 发生器 有 这 下列的 特性: t
r
≤
10 ns, t
f
≤
10 ns, z
O
= 50
Ω
.
b. 输入 脉冲波 持续时间 (t
w
) 是 增加 直到 顶峰 电流 i
作
= 10 一个, 在哪里 t
av
= avalanche 时间.
活力 测试 水平的 是 定义 作 E
作
+
I
作
V
(br)dsx
t
av
2
+
21 mJ
图示 4. 单独的-脉冲波 avalanche-活力 测试 电路 和 波形
典型 特性
1.5
1
0.5
0
2
2.5
门-至-源 门槛 电压
vs
接合面 温度
静态的 流-至-源 在-状态 阻抗
vs
接合面 温度
– 门-至-源 门槛 电压 – v
V
gs(th)
– 静态的 流-至-源
r
ds(在)
在-状态 阻抗 –
Ω
T
J
– 接合面 温度 –
°
C
0.3
0.2
0.1
0
0.4
0.5
– 40 – 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
= 10 v
V
GS
= 15 v
I
D
= 2 一个
T
J
– 接合面 温度 –
°
C
– 40 – 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
I
D
= 100
µ
一个
I
D
= 1 毫安
图示 5 图示 6
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