tlc251, tlc251a, tlc251b, tlc251y
LinCMOS
可编程序的
低-电源 运算的 放大器
slos001e – july 1983 – 修订 8月 1994
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
宽 范围 的 供应 电压
1.4 v 至 16 v
D
真实 单独的-供应 运作
D
一般模式 输入 电压 范围
包含 这 负的 栏杆
D
低 noise...30 nv/
√
Hz典型值 在 1 khz
(高 偏差)
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-833c, 方法 3015.1
描述
这 tlc251c, tlc251ac, 和 tlc251bc 是
低-费用, 低-电源 可编程序的 运算的
放大器 设计 至 运作 和 单独的 或者 双
供应. 不像 传统的 metal-门 cmos
运算的 放大器, 这些 设备 utilize 德州
器械 硅-门 lincmos
处理,
给 它们 稳固的 输入 补偿 电压 没有
sacrificing 这 有利因素 的 metal-门 cmos.
这个 序列 的 部分 是 有 在 选择 grades 的 输入 补偿 电压 和 能 是 nulled 和 一个 外部
分压器. 因为 这 输入 一般模式 范围 extends 至 这 负的 栏杆 和 这 电源 消耗量
是 极其 低, 这个 家族 是 ideally suited 为 电池-powered 或者 活力-conserving 产品. 一个
偏差-选择 管脚 能 是 使用 至 程序 一个 的 三 交流 效能 和 电源-消耗 水平 至 合适 这
应用. 这 序列 特性 运作 向下 至 一个 1.4-v 供应 和 是 稳固的 在 统一体 增益.
这些 设备 有 内部的 静电的-释放 (静电释放) 保护 电路 那 阻止 catastrophic failures
在 电压 向上 至 2000 v 作 测试 下面 mil-标准-883c, 方法 3015.1. 不管怎样, 小心 应当 是 exercised
在 处理 这些 设备 作 暴露 至 静电释放 将 结果 在 一个 降级 的 这 设备 参数
效能.
因为 的 这 极其 高 输入 阻抗 和 低 输入 偏差 和 补偿 电流, 产品 为 这
tlc251c 序列 包含 许多 areas 那 有 先前 被 限制 至 bifet 和 nfet 产品 类型. 任何
电路 使用 高-阻抗 elements 和 需要 小 补偿 errors 是 一个 好的 candidate 为 费用-有效的
使用 的 这些 设备. 许多 特性 有关联的 和 双极 技术 是 有 和 lincmos
运算的 放大器 没有 这 电源 penalties 的 传统的 双极 设备. 偏远的 和 inaccessible
设备 产品 是 可能 使用 这 低-电压 和 低-电源 能力 的 这 tlc251c 序列.
在 增加, 用 驱动 这 偏差-选择 输入 和 一个 逻辑 信号 从 一个 微处理器, 这些 运算的 放大器
能 有 软件-控制 效能 和 电源 消耗量. 这 tlc251c 序列 是 好 suited 至 solve
这 difficult 问题 有关联的 和 单独的 电池 和 solar cell-powered 产品.
这 tlc251c 序列 是 典型 为 运作 从 0
°
c 至 70
°
c.
有 选项
V
IO
最大值
packaged 设备
碎片 表格
T
一个
V
IO
最大值
在25
°
C
小 外形
(d)
塑料 插件
(p)
碎片 表格
(y)
10 mv TLC251CD TLC251CP TLC251Y
0
°
c 至 70
°
C
5 mv TLC251ACD TLC251ACP —
2 mv TLC251BCD TLC251BCP —
这 d 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 这 后缀 r 至 这 设备 类型 (e.g., tlc251cdr). 碎片 是
测试 在 25
°
c.
版权
1994, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
lincmos 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
1
2
3
4
8
7
6
5
补偿 n1
在–
在+
V
DD –
/地
偏差 选择
V
DD
输出
补偿 n2
d 或者 p 包装
(顶 视图)
标识
+
–
输出
偏差 选择
在 +
在 –
补偿 n1
补偿 n2
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