低-电源 睡眠 模式
这 bq2058T enters 这 低-电源 睡眠 模式 在 二
不同的 方法:
1. 在 最初的 电源-向上.
2. 之后 这 发现 的 一个 欠压 condi-
tion–V
UV
.
当 这 bq2058T enters 这 低-电源 睡眠 模式,
DSG 是 驱动 低 和 这 设备 消费 0.7
µ
一个 (typi-
cal). 这 bq2058T 仅有的 comes 输出 的 低-电源 睡眠
模式 当 一个 有效的 承担 发现 情况 exists.
承担 发现
这 bq2058T continuously monitors 为 一个 承担 发现
情况. 一个 有效的 承担 发现 情况 exists 当 ei-
ther 的 这 情况 是 真实:
CSL < BAT
2N
- 70mV (v
CD
)
CSH > BAT
1P
+ 70mV (v
CD
)
一个 有效的 承担 发现 使能 这 DSG 输出, 准许
charging 的 这 lithium ion cells. 这个 是 accomplished
用 应用 这 charging 供应 至 这 包装.
欠压
欠压 (或者 overdischarge) 保护 是 asserted
当 任何 cell 电压 drops 在下 这 V
UV
门槛
和 仍然是 在下 这 V
UV
门槛 为 一个 时间
exceeding 一个 用户-configurable 延迟 (t
UVD
). 这 DSG
输出 是 驱动 低, disabling 这 释放 的 这 包装.
这 bq2058T 然后 enters 这 低-电源 睡眠 模式.
V
UV
是 定义 作 跟随:
V
UV
= 2.25v
超（电）压
超（电）压 (或者 overcharge) 保护 是 asserted 当
任何 cell 电压 超过 这 V
OV
门槛 和 仍然是
在之上 这 V
OV
门槛 为 一个 时间 exceeding 一个 用户-
configurable 延迟 (t
OVD
). 这 CHG 管脚 变得 至 这
高 阻抗 状态, disabling 承担 在 这 电池
包装. 自从 这 承担 控制 输出 是 一个 打开 流
输出, 一个 拉-向下 电阻 是 需要 从 这 CHG 管脚
至 这 负的 一侧 的 这 包装. 这个 pulls 这 门 的
这 承担 场效应晶体管 低 当 这 CHG 管脚 变得 至 高 im-
pedance. Charging 是 无能 直到 一个 有效的 承担 en-
能 exists. 看 承担 使能 部分.
重要的 便条: 如果 任何 电池 管脚 floats (bat
1P
,
BAT
1N
,bat
2N
), 这 bq2058T 假设 一个 overvolt-
age 有 occurred.
因为 的 不同的 manufacturers’ 规格 为
超（电）压 门槛, 这 bq2058T 能 是 有
和 不同的 V
OV
选项. 表格 1 summarizes 这些
不同的 电压 门槛.
这 超（电）压 门槛 限制 是 编写程序
在 benchmarq. 这 bq2058T 是 这 标准 运算-
tion 那 是 更多 readily 有 为 抽样
和 prototyping 目的. 请 联系 bench-
marq 为 其它 电压 门槛 和 容忍
选项.
承担 使能
一个 有效的 承担 使能 indicates 那 一个 超（电）压
(overcharge) 情况 非 变长 exists 和 那 这
包装 是 准备好 至 接受 更远 承担. Once 超（电）压
保护 是 asserted, charging 将 不 是 使能 un-
til 所有 cell 电压 下降 在下 V
CE
. 这 V
CE
门槛 是
一个 函数 的 V
ov,
和 改变 和 不同的 V
OV
lim-
它的.
V
CE
=V
OV
- 150mV
Overcurrent
这 bq2058T 发现 一个 overcurrent (或者 短的 电路)
情况 仅有的 在 这 释放 方向. Overcurrent
保护 是 asserted 当 也 的 这 情况 oc-
curs 和 仍然是 为 一个 时间 exceeding 一个 用户-
configurable 延迟 (t
OCD
):
CSL > BAT
2N
+V
OCL
CSH < BAT
1P
-v
OCH
在哪里:
V
OCL
= 160mV (低-一侧 发现)
V
OCH
= 160mV (高-一侧 发现)
当 也 的 这些 情况 occurs, DSG 是 驱动
低, disconnecting 这 加载 从 这 包装. DSG 仍然是
低 直到 两个都 的 这 电压 情况 是 false, indi-
cating 除去 的 这 短的-电路 情况. 这 用户
能 facilitate clearing 这些 情况 用 inserting 这
电池 包装 在 一个 charger.
这 高-一侧 overcurrent sense 能 是 无能 用 con-
necting CSH 至 BAT
1P
. 这个 确保 那 CSH 是 从不
更好 比 BAT
1P
. 如果 高-一侧 发现 是 无能,
低-一侧 发现 必须 是 使用 和 csl.
这 FETs 在 这 承担/释放 path 控制 用 这
CHG 和 DSG 管脚 影响 这 overcurrent 水平的. 这
在-阻抗 的 这些 FETs 需要 至 是 带去 在 交流-
计数 当 determining overcurrent 水平.
5
July 1997
bq2058T
表格 1. 超（电）压 门槛 选项
部分 # V
OV
限制
bq2058T 4.25v
bq2058TR 4.35v
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