mitsubishi lsis
262,144-位 (32,768-文字 用 8-位) cmos 静态的 内存
MITSUBISHI
ELECTRIC
m5m5255dp,fp -45ll,-55ll,-70ll,
-45xl,-55xl,-70xl
'97.4.7
函数
函数 表格
2
这 运作 模式 的 这 m5m5255dp,fp 是 决定
用 一个 结合体 的 这 设备 控制 输入 /s1, s2 和
/w. 各自 模式 是 summarized 在 这 函数 表格.
一个 写 循环 是 executed whenever 这 低 水平的 /w
overlaps 和 这 低 水平的 /s1 和 这 高 水平的 s2. 这
地址 必须 是 设置 向上 在之前 这 写 循环 和 必须 是
稳固的 在 这 全部 循环. 这 数据 是 latched 在 一个 cell
在 这 trailing 边缘 的 /w, /s1 或者 s2, whichever occurs 第一,
需要 这 设置-向上 和 支撑 时间 相关的 至 这些 边缘 至
是 maintained.
一个 读 循环 是 executed 用 设置 /w 在 一个 高 水平的
当 /s1 和 s2 是 在 一个 起作用的 状态(/s1="l", s2="h").
当 设置 /s1 在 一个 高 水平的 或者 s2 在 一个 低 水平的, 这
碎片 是 在 一个 非-可选择的 模式 在 这个 两个都 读 和
writing 是 无能. 在 这个 模式, 这 输出 平台 是 在 一个
高-阻抗 状态, 准许 或者-系 和 其它 碎片 和
记忆 expansion 用 /s1 和 s2. 这 电源 供应
电流 是 减少 作 低 作 这 保卫-用 电流 这个 是
指定 作 icc3 或者 icc4, 和 这 记忆 数据 能 是 使保持
在 +2v 电源 供应, enabling 电池 后面的-向上 运作
在 电源 失败 或者 电源-向下 运作 在 这
非-选择 模式.
模式 DQ Icc
/s1 S2
非 选择
写
读
保卫-用
起作用的
起作用的
D在
D输出
X
L
L
L
L
H
H
H
高-阻抗
/w
X
X
L
H
非 选择 高-阻抗 保卫-用
VCC
(5v)
地
(0v)
27
20
22
2
3
4
6
5
7
25
26
1
8
9
10
21
23
24
2
12
11
13
15
16
17
18
19
地址 输入
缓存区
行 解码器
(512 rows x
512 columns)
32768 文字
x 8bit
sense anplifier
输出 缓存区
数据 输入
缓存区
COLUMN
解码器
地址 输入
缓存区
发生器
时钟
一个 14
一个 13
一个 8
一个 12
一个 6
一个 7
一个 10
一个 0
一个 1
一个 2
一个 3
一个 4
一个 5
一个 11
一个 9
/w
S2
/s1
28
14
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
地址
输入
数据 i/o
写 控制
输入
碎片 选择
INPUT1
函数 表格
碎片 选择
INPUT2
: 点此下载
