1.5smc6.8at3 序列
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2
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 电源 消耗 (便条 1) @ t
L
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 = 1 ms P
PK
1500 W
直流 电源 消耗 @ t
L
= 75
°
C
量过的 零 含铅的 长度 (便条 2)
减额 在之上 75
°
C
热的 阻抗 从 junction−to−lead
P
D
R
JL
4.0
54.6
18.3
W
mw/
°
C
°
c/w
直流 电源 消耗 (便条 3) @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
热的 阻抗 从 junction−to−ambient
P
D
R
JA
0.75
6.1
165
W
mw/
°
C
°
c/w
向前 surge 电流 (便条 4) @ t
一个
= 25
°
C I
FSM
200 一个
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−65 至 +150
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现. 最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制
值(不 正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是 超过, 设备 函数的 运作 is 不 暗指,
损坏 将 出现 和 可靠性 将 是 影响.
1. 10 x 1000
s, non−repetitive
2. 1
″
正方形的 铜 垫子, fr−4 板
3. fr−4 板, 使用 在 半导体 最小 推荐 footprint, 作 显示 在 403 情况 外形 维度 规格.
4. 1/2 sine 波 (或者 相等的 正方形的 波), pw = 8.3 ms, 职责 循环 = 4 脉冲 每 分钟 maximum.
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非
否则 指出, v
F
= 3.5 v 最大值 @ i
F
(便条 5) = 100 一个)
标识
参数
I
PP
最大 反转 顶峰 脉冲波 电流
V
C
夹紧 电压 @ i
PP
V
RWM
working 顶峰 反转 电压
I
R
最大 反转 泄漏 电流 @ v
RWM
V
BR
损坏 电压 @ i
T
I
T
测试 电流
V
BR
最大 温度 系数 的 v
BR
I
F
向前 电流
V
F
向前 电压 @ i
F
5. 1/2 sine 波 或者 相等的, pw = 8.3 ms
non−repetitive 职责 循环
uni−directional tvs
I
PP
I
F
V
I
I
R
I
T
V
RWM
V
C
V
BR
V
F
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