q
电的 特性
ta = 25
O
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位 电路
发现 电压 V
DF
V
DF
V
DF
V
DF
V1
x 0.98 x 1.02
hysteresis 范围 V
HYS
V
DF
V
DF
V
DF
V1
x 0.02 x 0.05 x 0.08
V
在
= 1.5v 0.9 2.6
=2.0v 1.0 3.0
供应 电流 I
SS
=3.0v 1.3 3.4
µ
一个
2
=4.0v 1.63.8
=5.0v 2.0 4.2
运行 电压 V
在
V
DF
=1.6v 至 6.0v 0.7 10.0 V
1
nch v
DS
=0.5v
V
在
=1.0v 2.2
=2.0v 7.7
3
=3.0v 10.1
输出 电流 I
输出
=4.0v 11.5 毫安
=5.0v 13.0
pch v
DS
=2.1v
V
在
=8.0v -10.0
4
( cmos 输出 )
发现 电压
∆
V
DF
±
100 ppm/
°
C
-
温度 特性
∆
Topr
•
V
DF
瞬时 延迟 时间
tdly *
V
在
改变 从
50 200
ms
5
(v
DR
V
输出
倒置) 0.6v 至 10v
V
DF
(t) : established 发现 电压 值
释放 电压 : v
DR
= v
DF
+ v
HYS
* 瞬时 延迟 时间 : 1ms 至 50ms &放大; 80ms 至 400ms 版本 是 也 有.
便条 :
这 电源 消耗量 在 电源-开始 至 输出 正在 稳固的 (释放 运作) 是 2
µ
一个 更好 比 它 是 之后 那 时期
(completion 的 释放 运作) 因为 的 延迟 电路 通过 电流.
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