2SB562
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
–25 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
–20 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
–5 V
集电级 电流 I
C
–1.0 一个
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
–1.5 一个
集电级 电源 消耗 P
C
0.9 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
–25 — — V I
C
= –10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
–20 — — V I
C
= –1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
–5 — — V I
E
= –10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — –1.0 µA V
CB
= –20 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
*
1
85 — 240 V
CE
= –2 v,
I
C
= –0.5 一个 (脉冲波 测试)
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— –0.2 –0.5 V I
C
= –0.8 一个,
I
B
= –0.08 一个 (脉冲波 测试)
根基 至 发射级 电压 V
是
— –0.8 –1.0 V V
CE
= –2 v,
I
C
= –0.5 一个 (脉冲波 测试)
增益 带宽 产品 f
T
— 350 — MHz V
CE
= –2 v,
I
C
= –0.5 一个 (脉冲波 测试)
集电级 输出 电容 Cob — 38 — pF V
CB
= –10 v, i
E
= 0
f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sb562 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
B C
85 至 170 120 至 240
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