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资料编号:1077095
 
资料名称:2SC2898
 
文件大小: 49240K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2SC2898
2
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 发射级 支持
电压
V
ceo(sus)
400 V I
C
= 0.2 一个, r
=
,
l = 100 mh
集电级 至 发射级 支持
电压
V
cex(sus)
400 V I
C
= 8 一个, i
B1
= 1.6 一个,
I
B2
= –0.8 一个, v
= –5 v,
l = 180 µh, clamped
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
7 V I
E
= 10 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
50 µA V
CB
= 400 v, i
E
= 0
I
CEO
50 µA V
CE
= 350 v, r
=
直流 电流 转移 比率 h
FE1
15 V
CE
= 5 v, i
C
= 4 a*
1
h
FE2
7 V
CE
= 5 v, i
C
= 8 a*
1
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
1.0 V I
C
= 4 一个, i
B
= 0.8 a*
1
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)
1.5 V
转变 在 时间 t
0.8 µs I
C
= 8 一个, i
B1
= –i
B2
= 1.6 一个,
存储 时间 t
stg
2.0 µs V
CC
150 v
下降 时间 t
f
0.8 µs
便条: 1. 脉冲波 测试
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