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2SC3836
2
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
60 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
50 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(是)ebo
15 — — V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 1 µA V
CB
= 50 v, i
E
= 0
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 0.75 V V
CE
= 6 v, i
C
= 1 毫安
直流 电流 转移 比率 h
FE1
800 — 2000 V
CE
= 6 v, i
C
= 100 毫安
(脉冲波 测试)
h
FE2
500 — — V
CE
= 6 v, i
C
= 1 毫安
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— — 0.3 V I
C
= 300 毫安, i
B
= 30 毫安
(脉冲波 测试)

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2SC3836 2 电的特性 (ta = 25°c) Item 标识最小值典型值最大值单位测试情况集电级至根基损坏电压 V (br)cbo 60 — — V I C = 10 µa, i E = 0 集电级至发射级损坏电压 V (br)ceo 50 — — V I C = 1 毫安, r 是 = ∞ 发射级至根基损坏电压 V (是)ebo 15 — — V I E = 10 µa, i C = 0 集电级截止电流 I CBO — — 1 µA V CB = 50 v, i E = 0 根基至发射级电压 V 是 — — 0.75 V V CE = 6 v, i C = 1 毫安直流电流转移比率 h FE1 800 — 2000 V CE = 6 v, i C = 100 毫安 (脉冲波测试) h FE2 500 — — V CE = 6 v, i C = 1 毫安集电级至发射级饱和电压 V ce(sat) — — 0.3 V I C = 300 毫安, i B = 30 毫安 (脉冲波测试)

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