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资料编号:1077135
 
资料名称:2SC4537
 
文件大小: 27029K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2SC4537
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
15 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
11 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
2 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
100 mW
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
15 V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
1 µA V
CB
= 12 v, i
E
= 0
集电级 截止 电流 I
CEO
1 µA V
CE
= 10 v, i
E
=
发射级 截止 电流 I
EBO
1 µA V
EB
= 1 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
50 120 250 V
CE
= 5 v, i
C
= 20 毫安
集电级 输出 电容 Cob 1.0 1.5 pF V
CB
= 5 v, i
E
= 0,
f = 1mhz
增益 带宽 产品 f
T
4.5 6.0 GHz V
CE
= 5 v, i
C
= 20 毫安
电源 增益 PG 10 dB V
CE
= 5 v, i
C
= 20 毫安,
f = 900 mhz
噪音 图示 NF 1.6 dB V
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安,
f = 900 mhz
便条: 标记 是 “is–”.
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