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资料编号:1077179
 
资料名称:2SD1419
 
文件大小: 19058K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SD1419
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
100 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5 V
集电级 电流 I
C
1 一个
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
*
1
2 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
2
1 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
注释: 1. PW
10 ms, 职责 循环
20%
2. 值 在 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5 x 20 x 0.7 mm)
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
120 V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
100 V I
C
= 1 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
5 V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
10 µA V
CB
= 100 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
*
1
60 200 V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
h
FE2
30 V
CE
= 5 v, i
C
= 500 ma*
2
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
1 V I
C
= 500 毫安, i
B
= 50 ma*
2
根基 至 发射级 电压 V
1.5 V V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
增益 带宽 产品 f
T
140 MHz V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
集电级 输出 电容 Cob 12 pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
注释: 1. 这 2sd1419 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
2. 脉冲波 测试
Mark DD DE
h
FE1
60 至 120 100 至 200
看 典型的 曲线 的 2sd1418.
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