首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1077182
 
资料名称:2SD1436(K)
 
文件大小: 29110K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SD1436(K)的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号2SD1436(K)的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2SD1436(K)的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号2SD1436(K)的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sd1436(k)
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
120 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7 V
集电级 电流 I
C
10 一个
集电级 顶峰 电流 I
c (顶峰)
15 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
1
80 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
便条: 1. 值 在 t
C
= 25°c.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
120 V I
C
= 25 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
7 V I
E
= 200 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
100 µA V
CB
= 120 v, i
E
= 0
I
CEO
10 µA V
CE
= 100 v, r
=
直流 电流 转移 比率 h
FE
1000 20000 V
CE
= 3 v, i
C
= 5 a*
1
集电级 至 发射级 饱和 V
ce (sat)1
1.5 V I
C
= 5 一个, i
B
= 10 ma*
1
电压 V
ce (sat)2
3.0 V I
C
= 10 一个, i
B
= 0.1 a*
1
根基 至 发射级 饱和 V
是 (sat)1
2.0 V I
C
= 5 一个, i
B
= 10 ma*
1
电压 V
是 (sat)2
3.5 V I
C
= 10 一个, i
B
= 0.1 a*
1
转变 在 时间 Ton 0.8 µs I
C
= 5 一个, i
B1
= –i
B2
= 10 毫安
转变 止 时间 Toff 4.0 µs
便条: 1. 脉冲波 测试.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com