2SD1470
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
60 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7 V
集电级 电流 I
C
1 一个
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
*
1
2 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
2
1 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
注释: 1. PW
≤
10 ms, 职责 循环
≤
20%
2. 值 在 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5 x 30 x 0.7 mm)
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
60 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
60 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
7 — — V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 10 µA V
CB
= 60 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
— — 10 µA V
EB
= 7 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
2000 — 100000 V
CE
= 3 v, i
C
= 0.5 a*
1
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— — 1.5 V I
C
= 500 毫安, i
B
= 0.5 ma*
1
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)
— — 2.0 V I
C
= 500 毫安, i
B
= 0.5 ma*
1
注释: 1. 脉冲波 测试
2. 标记 是 “at”.
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