2SD1559
2
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
100 — — V I
C
= 0.1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
100 — — V I
C
= 25 毫安, r
是
=
∞
集电级 至 发射级 支持
电压
V
ceo(sus)
100 — — V I
C
= 200 毫安, r
是
=
∞
*
1
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
7 — — V V
EB
= 50 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 100 µA V
CB
= 100 v, i
E
= 0
I
CEO
— — 1.0 毫安 V
CE
= 80 v, r
是
=
∞
直流 电流 转移 比率 h
FE
1000 — 20000 V
CE
= 3 v, i
C
= 10 a*
1
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)1
— — 2.0 V I
C
= 10 一个, i
B
= 20 ma*
1
根基 至 发射级 saturatiopn
电压
V
是(sat)1
— — 2.5 V
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)2
— — 3.0 V I
C
= 20 一个, i
B
= 200 ma*
1
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)2
— — 3.5 V
转变 在 时间 t
在
— 1.0 — µs I
C
= 10 一个, i
B1
= –i
B2
= 20 毫安
存储 时间 t
stg
— 9.0 — µs
下降 时间 t
f
— 3.0 — µs
便条: 1. 脉冲波 测试.
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