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资料编号:1077191
 
资料名称:2sd1606
 
文件大小: 35178K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2SD1606
2
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
120 V I
C
= 25 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
7 V I
E
= 50 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
100 µA V
CB
= 120 v, i
E
= 0
I
CEO
10 µA V
CE
= 100 v, r
=
直流 电流 转移 比率 h
FE
1000 20000 V
CE
= 3 v, i
C
= 3 a*
1
集电级 至 发射级 饱和 V
ce(sat)1
1.5 V I
C
= 3 一个, i
B
= 6 ma*
1
电压 V
ce(sat)2
3.0 V I
C
= 6 一个, i
B
= 60 ma*
1
根基 至 发射级 饱和 V
是(sat)1
2.0 V I
C
= 3 一个, i
B
= 6 ma*
1
电压 V
是(sat)2
3.5 V I
C
= 6 一个, i
B
= 60 ma*
1
c 至 e 二极管 向前 电压 V
D
3.0 V I
D
= 6 a*
1
转变 在 时间 t
0.6 µs I
C
= 3 一个, i
B1
= –i
B2
= 6 毫安
存储 时间 t
stg
7.0 µs
下降 时间 t
f
2.0 µs
便条: 1. 脉冲波 测试.
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