mc34129 mc33129
12
motorola 相似物 ic 设备 数据
图示 24. 电流 感觉到 电源 场效应晶体管 图示 25. 电流 波形 尖刺 抑制
图示 26. 场效应晶体管 parasitic 振动 图示 27. 双极 晶体管 驱动
V
RS
≈
R
S
⋅
I
pk
⋅
r
ds(在)
如果: sensefet = mtp10n10m
R
S
= 200
然后: v
RS
≈
0.075 i
pk
1.25v
–
8
9
10
11
1
2
3
V
在
D
SENSEFET
G
M
K
S
电源 地面:
至 输入 源
返回
R
S
1/4w
控制 电路系统 地面:
至 管脚 7
virtually lossless 电流 感觉到 能 是 达到 和 这 implementation 的 一个
sensefet 电源 转变.
+
r
dm(在)
+ r
S
这 增加 的 这 rc 过滤 将 eliminate instability 造成 用 这
leading 边缘 尖刺 在 这 电流 波形.
1
2
3
V
在
Q1
R
C
R
S
1
2
3
V
在
Q1
R
S
R
g
序列 门 电阻 r
g
将 damp 任何 高 频率 parasitic
振动 造成 用 这 场效应晶体管 输入 电容 和 任何
序列 线路 电感 在 这 gate–source 电路.
这 totem–pole 输出 能 furnish 负的 根基 电流 为 增强
晶体管 turn–off, 和 这 增加 的 电容 c1.
1
2
3
V
在
Q1
R
S
C1
I
B
+
0
–
根基 承担
除去
t
: 点此下载
