九月 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 bfg520; bfg520/x; bfg520/xr
特性
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性.
描述
npn 硅 planar 外延的
晶体管, 将 为 产品
在 这 rf frontend 在 这 ghz 范围,
此类 作 相似物 和 数字的 cellular
telephones, cordless telephones
(ct1, ct2, dect, 等.), radar
detectors, pagers 和 satellite tv
tuners (satv) 和 repeater
放大器 在 fibre-optic 系统.
这 晶体管 是 encapsulated 在
4-管脚, 双-发射级 塑料 sot143
和 sot143r envelopes.
固定
管脚 描述
bfg520 (图.1) 代号: n36
1 集电级
2 根基
3 发射级
4 发射级
bfg520/x (图.1) 代号: n42
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
bfg520/xr (图.2) 代号: n48
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
图.1 sot143b.
fpage
顶 视图
MSB014
12
34
图.2 sot143r.
handbook, 2 columns
顶 视图
MSB035
12
43
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
15 V
I
c
直流 集电级 电流
−−
70 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
=88
°
c; 便条 1
−−
300 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; t
j
=25
°
C 60 120 250
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; V
CB
= 6 v; f = 1 mhz
−
0.3
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
19
−
dB
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 2 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
13
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
17 18
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
c
= 5 毫安; v
CE
=6v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.1 1.6 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 20 毫安; v
CE
=6 v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.6 2.1 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 5 毫安; v
CE
= 8 v;
f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
1.9
−
dB
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