2sd667, 2sd667a
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 2SD667 2SD667A 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
120 120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
80 100 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5 5 V
集电级 电流 I
C
1 1 一个
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
2 2 一个
集电级 电源 消耗 P
C
0.9 0.9 W
接合面 温度 Tj 150 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 –50 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
2SD667 2SD667A
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
120 — — 120 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
80 — — 100 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5 — — 5 — — V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 10 — — 10 µA V
CB
= 100 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
*
1
60 — 320 60 — 200 V
CE
= 5 v,
I
C
= 150 ma*
2
h
FE2
30 — — 30 — — V
CE
= 5 v,
I
C
= 500 ma*
2
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
— — 1 — — 1 V I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 ma*
2
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 1.5 — — 1.5 V V
CE
= 5 v,
I
C
= 150 ma*
2
增益 带宽 产品 f
T
— 140 — — 140 — MHz V
CE
= 5 v,
I
C
= 150 ma*
2
集电级 输出
电容
Cob — 12 — — 12 — pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
注释: 1. 这 2sd667 和 2sd667a 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
2. 脉冲波 测试
B C D
2SD667 60 至 120 100 至 200 160 至 320
2SD667A 60 至 120 100 至 200
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