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资料编号:1077441
 
资料名称:2sj518
 
文件大小: 64431K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2SJ518
6
100
20
50
10
–0.1 –0.2 –1 –5 –10
0 –10 –20 –30 –40 –50
1000
300
100
30
10
0
–20
–40
–60
–80
0
0
–4
–8
–12
–16
–20–100
4812
16
20
100
20
50
10
2
5
1
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5
–10
–0.5 –2
3
1
DS
V
GS
V
v = –10 v
–25 v
–50 v
DD
di / dt = 50 一个 / µs
v = 0, ta = 25 °c
GS
v = 0
f = 1 mhz
GS
Ciss
Coss
Crss
v = –10 v
–25 v
–50 v
DD
D
i = –2 一个
t
f
r
t
d(止)
t
d(在)
t
DD
v = –10 v, v = –30 v
ta = 25°c, 职责 < 1 %
GS
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
流 电流 i (一个)
D
切换 时间 t (ns)
切换 特性
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