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资料编号:1077478
 
资料名称:2sk1772
 
文件大小: 49873K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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表格 2 电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
———————————————————————————————————————————
流 至 源 损坏 V
(br)dss
30 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
门 至 源 损坏 V
(br)gss
±20 V I
G
= ±100 µa, v
DS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
门 至 源 leak 电流 I
GSS
±10 µA V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
———————————————————————————————————————————
零 门 电压 流 电流 I
DSS
50 µA V
DS
= 25 v, v
GS
= 0
———————————————————————————————————————————
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
1.0 2.0 V I
D
= 1 毫安, v
DS
= 10 v
———————————————————————————————————————————
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.4 0.6
I
D
= 0.5 一个
阻抗 V
GS
= 10 v *
————————————————————————
0.6 0.85
I
D
= 0.5 一个
V
GS
= 4 v *
———————————————————————————————————————————
向前 转移 admittance |y
fs
| 0.6 1.0 S I
D
= 0.5 一个
V
DS
= 10 v *
———————————————————————————————————————————
输入 电容 Ciss 85 pF V
DS
= 10 v
————————————————————————————————
输出 电容 Coss 65 pF V
GS
= 0
————————————————————————————————
反转 转移 电容 Crss 20 pF f = 1 mhz
———————————————————————————————————————————
turn–on 延迟 时间 t
d(在)
10 ns I
D
= 0.5 一个
————————————————————————————————
上升 时间 t
r
15 ns V
GS
= 10 v
————————————————————————————————
turn–off 延迟 时间 t
d(止)
40 ns R
L
= 60
————————————————————————————————
下降 时间 t
f
30 ns
———————————————————————————————————————————
body–drain 二极管 向前 V
DF
1.2 V I
F
= 1 一个, v
GS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
body–drain 二极管 反转 t
rr
30 ns I
F
= 1 一个, v
GS
= 0,
恢复 时间 di
F
/dt = 50 一个/µs
———————————————————————————————————————————
* 脉冲波 测试
2SK1772
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