hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列
10
直流 特性
(ta = 0 至 70
°
c, v
CC
= 3.3 v
±
0.3v, v
SS
= 0 v) (hb56hw165db)
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 测试 情况 注释
运行 电流 I
CC1
— 680 — 600 毫安 t
RC
= 最小值 1, 2
备用物品 电流 I
CC2
— 8 — 8 毫安 ttl 接口
RAS
,
CAS
= v
IH
dout = 高-z
— 4 — 4 毫安 cmos 接口
RAS
,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 v
dout = 高-z
备用物品 电流 (l-版本) I
CC2
— 0.6 — 0.6 毫安 cmos 接口
RAS
,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 v
dout = 高-z
RAS
-仅有的 refresh 电流 I
CC3
— 680 — 600 毫安 t
RC
= 最小值 2
备用物品 电流 I
CC5
— 20 — 20 毫安
RAS
= v
IH
,
CAS
= v
IL
dout = 使能
1
CAS
-在之前-
RAS
refresh
电流
I
CC6
— 680 — 600 毫安 t
RC
= 最小值
edo 页 模式 电流 I
CC7
— 740 — 660 毫安 t
HPC
= 最小值 1, 3
电池 backup 电流
(备用物品 和 cbr refresh) (l-
版本)
I
CC10
— 1.6 — 1.6 毫安 cmos 接口
dout = 高-z
cbr refresh:
t
RC
= 125
µ
s
t
RAS
≤
0.3
µ
s
4
自 refresh 模式 电流
(l-版本)
I
CC11
— 1 — 1 毫安 cmos 接口
RAS
,
CAS
≤
0.2 v
dout = 高-z
输入 泄漏 电流 I
LI
–10 10 –10 10
µ
一个 0 v
≤
Vin
≤
4.6 v
输出 泄漏 电流 I
LO
–10 10 –10 10
µ
一个 0 v
≤
Vout
≤
4.6 v
dout = 使不能运转
输出 高 电压 V
OH
2.4 V
CC
2.4 V
CC
V 高 iout = –2 毫安
输出 低 电压 V
OL
0 0.4 0 0.4 V 低 iout = 2 毫安
注释: 1. I
CC
取决于 在 输出 加载 情况 当 这 设备 是 选择, i
CC
最大值 是 指定 在 这
输出 打开 情况.
2. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
RAS
= v
IL
.
3. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
CAS
= v
IH
.
4. V
IH
≥
V
CC
- 0.2 v, 0 v
≤
V
IL
≤
0.2 v
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