8ETH06_集成电路资料查询网

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8eth06, 8eth06s, 8eth06-1, 8eth06fp
公告pd-20746   rev. f   02/04
www.irf.com
图. 10 - 典型 贮存 承担  vs. di
F
/dt图. 9 - 典型 反转 恢复  vs. di
F
/dt
trr   ( ns )
qrr   ( nc )
di
F
/dt   (一个/µs )
di
F
/dt   (一个/µs )
IRFP250
d.u.t.
l = 70µh
v    = 200v
R
0.01
Ω
G
D
S
dif/dt
调整
图. 11- 反转  恢复  参数  测试  电路
反转  恢复  电路
di
F
/dt
10
20
30
40
50
60
100 1000
如果 = 16 一个
如果 = 8 一个
R
J
J
v   = 390v
t   = 125
˚
C
t   =  25
˚
C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
100 1000
如果 = 16 一个
如果 = 8 一个
R
J
J
v   = 390v
t   = 125
˚
C
t   =  25
˚
C

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5 8eth06, 8eth06s, 8eth06-1, 8eth06fp 公告pd-20746 rev. f 02/04 www.irf.com 图. 10 - 典型贮存承担 vs. di F /dt图. 9 - 典型反转恢复 vs. di F /dt trr ( ns ) qrr ( nc ) di F /dt (一个/µs ) di F /dt (一个/µs ) IRFP250 d.u.t. l = 70µh v = 200v R 0.01 Ω G D S dif/dt 调整图. 11- 反转恢复参数测试电路反转恢复电路 di F /dt 10 20 30 40 50 60 100 1000 如果 = 16 一个如果 = 8 一个 R J J v = 390v t = 125 ˚ C t = 25 ˚ C 0 50 100 150 200 250 300 350 400 100 1000 如果 = 16 一个如果 = 8 一个 R J J v = 390v t = 125 ˚ C t = 25 ˚ C

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