类型 非.
绝对 最大 比率 电的 特性
[V] [V] [V] [A] [A] [W] [˚C] [˚C] [V] [V] [V] [˚c/w] [MHz] [
µ
s] [
µ
s] [
µ
s]
外形
包装 图示
V
CBO
V
CEO
I
C
I
B
P
T
Tstg
V
CEO
(sus)
(最小值)
h
FE
(最小值)
V
CE
(sat)
(最大值)
V
是
(sat)
(最大值)
θ
j
c
(最大值)
f
T
(典型值)
darlington 电源 晶体管
V
EBO
T
J
ton
(最大值)
ts
(最大值)
tf
(最大值)
类型 非.
绝对 最大 比率 电的 特性
[V] [V] [V] [A] [A] [W] [˚C] [˚C] [V] [V] [˚c/w] [
µ
s] [
µ
s] [
µ
s]
外形
包装 图示
V
CBO
V
CEO
I
C
I
B
P
T
Tstg h
FE
(最小值)
V
CE
(sat)
(最大值)
V
是
(sat)
(最大值)
θ
j
一个
(最大值)
ton
(最大值)
晶体管 arrays
V
EBO
T
J
ts
(最大值)
tf
(最大值)
Remarks
~
*
: 和 齐纳 二极管 在 集电级 和 根基
双极 晶体管
双极 晶体管 arrays
mto-3p
ito-3p
ito-220
至-220
TH
TK
darlington 晶体管&放大; 晶体管 arrays
~
~
–55
150
–55
150
–55
150
TH3L10 100 100
7 0.3 1.5 2 NPNX4
3L20 200 200
3C10
±
100
±
100
±
7
±
3
±
0.3
±
1.5
±
2
npnx2, PNPX2
3
J
10 –100 –100 –7 –0.3 3.5 –55~150 150 1500 –1.5 –2 35 2 8 3 PNPX4 TH 65
3L10Z* 60
±
10
60
±
10
0.3
5L10 100 100 7
5 0.5
1.5 2 NPNX4
5L20 200 200 5
TK3L10 100 100
7 0.3 1.5 2 NPNX3
3L20 200 200
±
3
3
J
10 –100 –100 –7 –0.3
2.5 –55~150 150 1500
–1.5 –2
50 2 8 3
PNPX3
TK 66
3L10Z* 60
±
10
60
±
10
0.3
5L10 100 100 7
5 0.5
1.5 2 NPNX3
5L20 200 200 5
TH5P4
±
60
±
40
±
7
±
5
±
1.5 3.5 70
±
0.3
±
1.2 35.7 0.3 2 0.5
npnx2, PNPX2
TH 65
2SD1022 100 100
7 5 0.5 30 150 — 1500 1.5 2 4.17 20 2
53
1023 200 200 85
至-220 80-3
1024 100 100
7 8 0.5 50 150 — 1500 1.5 2 2.5 20 2
53
1025 200 200 85
1026 100 100
100 1.25
53
mto-3p 86-2
1027
200 200
7 15 1 150 — 1500 1.5 2 20 2 8
5
2196 65 1.92 12 ito-3p 88-3
1788 100 100
1789 200 200 7
±
4 0.3 25 150 — 1500 1.5 2 5.0 20 2 12 5
1790 60
±
10
60
±
10
1791 100 100
7 7 0.5 30 150 — 1500 1.5 2 4.17 20 2 12 5 ito-220 82-4
1792 200 200
1793 100 100
7 10 0.5 50 150 — 1500 1.5 2 2.5 20 2 12 5
1794 200 200
1795 500 400 12 10 0.5 50 150 400 150 1.5 2 2.5 10 2 15 15
2SB1282
±
4 –0.3 25 5
1283 –7 –0.5 30 4.16 ito-220 82-4
1284 –100 –100 –7 –10 –0.8 35 150 — 1500 –1.5 –2 3.57 20 1 4 2
1285
–15 –1
100 1.25 mto-3p 86-2
1448 65 1.92 ito-3p 88-3
1•800•634•3654
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