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at25010/020/040
0606I
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SEEPR
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写 使能 (wren):
这 设备 将 电源 向上 在 这 写 使不能运转 状态 当 V
CC
是 应用. 所有 程序编制 说明 必须 因此 是 preceded 用 一个 写 使能
操作指南. 这 WP
管脚 必须 是 使保持 高 在 一个 WREN 操作指南.
写 使不能运转 (wrdi):
至 保护 这 设备 相反 inadvertent 写, 这 写
使不能运转 操作指南 使不能运转 所有 程序编制 模式. 这 WRDI 操作指南 是 indepen-
dent 的 这 状态 的 这 WP
管脚.
读 状态 寄存器 (rdsr):
这 读 状态 寄存器 操作指南 提供
进入 至 这 状态 寄存器. 这 准备好/busy 和 写 使能 状态 的 这 设备
能 是 决定 用 这 RDSR 操作指南. similarly, 这 块 写 保护 位
表明 这 程度 的 保护 运用. 这些 位 是 设置 用 使用 这 WRSR
操作指南.
写 状态 寄存器 (wrsr):
这 WRSR 操作指南 准许 这 用户 至 选择
一个 的 四 水平 的 保护. 这 at25010/020/040 是 分隔 在 四 排列 seg-
ments. 顶 quarter (1/4), 顶 half (1/2), 或者 所有 的 这 记忆 部分 能 是
保护. 任何 的 这 数据 在里面 任何 选择 段 将 因此 是 读 仅有的. 这
块 写 保护 水平 和 相应的 状态 寄存器 控制 位 是 显示 在
表格 4.
这 二 位, BP1 和 BP0 是 nonvolatile cells 那 有 这 一样 properties 和 func-
tions 作 这 regular 记忆 cells (e.g. wren, t
WC
,rdsr).
Table 2.
状态 寄存器 Format
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
X X X X BP1 BP0 WEN RDY
Table 3.
读 状态 寄存器 位 定义
位 定义
位 0 (rdy
)
位 0 = 0 (rdy
) indicates 这 设备 是 准备好. 位 0 = 1 indicates 这
writecycleisinprogress.
位 1 (wen)
位 1 = 0 indicates 这 设备
是 不
写 使能. 位 1 = 1 indicates
这 设备 是 写 使能.
位 2 (bp0) 看 表格 4.
位 3 (bp1) 看 表格 4.
位 4-7 是 0s 当 设备 是 不 在 一个 内部的 写 循环.
位 0-7 是 1s 在 一个 内部的 写 循环.
Table 4.
块 写 保护 位
水平的
状态 寄存器 位 排列 地址 保护
BP1 BP0 AT25010 AT25020 AT25040
000NoneNoneNone
1 (1/4) 0 1 60-7f c0-ff 180-1ff
2 (1/2) 1 0 40-7f 80-ff 100-1ff
3 (所有) 1 1 00-7f 00-ff 000-1ff
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