进步 信息
这个 数据 薄板 states amd’s 电流 技术的 规格 关于 这 产品 描述 在此处. 这个 数据
薄板 将 是 修订 用 subsequent 版本 或者 修改 预定的 至 改变 在 技术的 规格.9/12/02
Publication#
25301
rev:
B
amendment/
+3
公布 日期:
九月 10, 2002
谈及 至 amd’s 网站 (www.amd.com) 为 这 最新的 信息.
Am29LV640MU
64 megabit (4 m x 16-位) mirrorbit
3.0 volt-仅有的 uniform Sector flash 记忆 和 versatilei/o
控制
distinctive 特性
architectural 有利因素
■
单独的 电源 供应 运作
—
3 v 为 读, 擦掉, 和 程序 行动
■
versatilei/o
控制
—
设备 发生 数据 输出 电压 和 tolerates
数据 输入 电压 在 这 ce# 和 dq 输入/输出
作 决定 用 这 电压 在 这 v
IO
管脚; 运作
从 1.65 至 3.6 v
■
制造的 在 0.23 µm mirrorbit 处理
技术
■
SecSi
(secured 硅) sector 区域
—
128-文字 sector 为 永久的, secure identification
通过 一个 8-文字 随机的 电子的 串行 号码,
accessible 通过 一个 command sequence
—
将 是 编写程序 和 锁 在 这 工厂 或者 用
这 客户
■
有伸缩性的 sector architecture
—
一个 hundred twenty-第八 32 kword sectors
■
兼容性 和 电子元件工业联合会 standards
—
提供 引脚 和 软件 兼容性 为
单独的-电源 供应 flash, 和 更好的 inadvertent
写 保护
■
最小 100,000 擦掉 循环 保证 每 sector
■
20-年 数据 保持 在 125
°
C
效能 特性
■
高 效能
—
90 ns 进入 时间
—
25 ns 页 读 时间
—
0.4 s 典型 sector 擦掉 时间
—
5.9 µs 典型 写 缓存区 文字 程序编制 时间:
16-文字 写 缓存区 减少 整体的 程序编制
时间 为 多样的-文字/字节 updates
—
4-文字 页 读 缓存区
—
16-文字 写 缓存区
■
低 电源 消耗量 (典型 值 在 3.0 v, 5
mhz)
—
30 毫安 典型 起作用的 读 电流
—
50 毫安 典型 擦掉/程序 电流
—
1 µa 典型 备用物品 模式 电流
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包装 选项
—
63-球 fine-程度 bga
—
64-球 fortified bga
软件 &放大; 硬件 特性
■
软件 特性
—
程序 suspend &放大; 重新开始: 读 其它 sectors
在之前 程序编制 运作 是 完成
—
擦掉 suspend &放大; 重新开始: 读/程序 其它
sectors 在之前 一个 擦掉 运作 是 完成
—
data# polling &放大; toggle 位 提供 状态
—
unlock 绕过 程序 command 减少 整体的
多样的-文字 程序编制 时间
—
cfi (一般 flash 接口) 一致的: 准许 host
系统 至 identify 和 accommodate 多样的 flash
设备
■
硬件 特性
—
sector 组 保护: 硬件-水平的 方法 的
阻止 写 行动 在里面 一个 sector 组
—
temporary sector unprotect: v
ID
-水平的 方法 的
changing 代号 在 锁 sectors
—
acc (高 电压) 输入 accelerates 程序编制
时间 为 高等级的 throughput 在 系统 生产
—
硬件 重置 输入 (reset#) resets 设备
—
准备好/busy# 输出 (ry/by#) indicates 程序 或者
擦掉 循环 completion
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