CS5322
http://onsemi.com
3
绝对 最大 ratings*
比率 值 单位
运行 接合面 温度 150
°
C
含铅的 温度 焊接: 软熔焊接: (smd 样式 仅有的) (便条 1.) 230 顶峰
°
C
存储 温度 范围 –65 至 +150
°
C
静电释放 susceptibility (人 身体 模型) 2.0 kV
1. 60 第二 最大 在之上 183
°
c.
*the 最大 包装 电源 消耗 必须 是 observed.
绝对 最大 比率
管脚 名字 管脚 标识 V
最大值
V
最小值
I
源
I
下沉
电源 为 逻辑 V
CCL
16 v –0.3 v n/一个 50 毫安
电源 为 门(l)1 V
CCL1
16 v –0.3 v n/一个 1.5 一个, 1.0
µ
s 200 毫安 直流
电源 为 门(l)2 V
CCL2
16 v –0.3 v n/一个 1.5 一个, 1.0
µ
s 200 毫安 直流
电源 门(h)1 V
CCH1
20 v –0.3 v n/一个 1.5 一个, 1.0
µ
s 200 毫安 直流
电源 为 门(h)2 V
CCH2
20 v –0.3 v n/一个 1.5 一个, 1.0
µ
s 200 毫安 直流
电源 好的 输出 PWRGD 6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 20 毫安
软 开始 电容 SS 6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
电压 反馈 补偿
网络
竞赛 6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
电压 反馈 输入 V
FB
6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
输出 为 调整 adaptive
电压 位置
V
DRP
6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
频率 电阻 R
OSC
6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
涉及 输出 REF 6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 50 毫安
high–side 场效应晶体管 驱动器 门(h)1–2 20 v –0.3 v 直流
–2.0 v 为 100
ns
1.5 一个, 1.0
µ
s
200 毫安 直流
1.5 一个, 1.0
µ
s
200 毫安 直流
low–side 场效应晶体管 驱动器 门(l)1–2 16 v –0.3 v 直流
–2.0 v 为 100
ns
1.5 一个, 1.0
µ
s
200 毫安 直流
1.5 一个, 1.0
µ
s
200 毫安 直流
返回 为 逻辑 LGND n/一个 n/一个 50 毫安 n/一个
返回 为 #1 驱动器 GND1 0.3 v –0.3 v 2.0 一个, 1.0
µ
s 200 毫安 直流 n/一个
返回 为 #2 驱动器 GND2 0.3 v –0.3 v 2.0 一个, 1.0
µ
s 200 毫安 直流 n/一个
电流 sense 为 阶段 1–2 CS1–CS2 6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
电流 限制 设置 要点 I
LIM
6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
电流 sense 涉及 CS
REF
6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
电压 id dac 输入 V
ID0–4
6.0 v –0.3 v 1.0 毫安 1.0 毫安
: 点此下载
