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这 5v 供应 rises. 这 pgood 输出 平台 是 制造 向上 的
nmos 和 pmos 晶体管. 在 这 rising v
CC
, 这 pmos
设备 变为 起作用的 slightly 在之前 这 nmos 晶体管
pulls “down”, generating 这 slight 上升 在 这 pgood
电压.
便条 那 图示 5 显示 这 12v 电池 电压 有
在之前 这 5v 供应 至 这 isl6223 有 reached 它的
门槛 水平的. 如果 情况 是 使反转 和 这 5v
供应 是 至 上升 第一, 这 开始-向上 sequence 将 是
不同的. 在 这个 情况 这 isl6223 将 sense 一个 overcurrent
情况 预定的 至 charging 这 输出 电容. 这 供应
将 然后 重新开始 和 go through 这 正常的 软-开始 循环.
.
故障 保护
这 isl6223 保护 这 微处理器 和 这 全部
电源 系统 从 损害的 压力 水平. 在里面 这
isl6223 两个都 超（电）压 和 overcurrent 电路 是
组成公司的 至 保护 这 加载 和 调整器.
超（电）压
这 vsen 管脚 是 连接 至这 微处理器 核心
电压. 一个 核心 超（电）压情况 是 发现 当 这
vsen 管脚 变得 在之上 2.35v.
这 超（电）压 情况 是 latched, disabling 正常的 pwm
运作, 和 造成 pgood 至 go 低. 这 获得 能
仅有的 是 重置 用 lowering 和 returning v
CC
高 至 initiate 一个
por 和 软-开始 sequence.
在 一个 latched 超（电）压, 这 pwm 输出 将 是
驱动 也 低 或者 三 状态, 取决于 在之上 这 vsen
输入. pwm 输出 是 driven 低 当 这 vsen 管脚
发现 那 这 核心 电压是 在之上 2.35v. 这个 情况
驱动 这 pwm 输出 低, 结果 在 这 更小的 或者
同步的 整流器 mosfets 至 conduct 和 调往 这
核心 电压 至 地面 至 保护 这 加载.
如果 之后 这个 事件, 这 核心 电压 falls 在下 1.7v, 这
pwm 输出 将 是 三 状态. 这 hip6601 家族 驱动器
通过 这 三 状态 information along, 和 shuts 止 两个都
upper 和 更小的 mosfets. 这个 阻止 “dumping” 的 这
输出 电容 后面的 通过 这 更小的 mosfets,
avoiding 一个 possibly 引起破坏 ringing 的 这 电容 和
输出 inductors. 如果 这 情况 那 造成 这
超（电）压 安静的 persist, the pwm 输出 将 是 cycled
在 三 状态 和 v
核心
clamped 至 地面, 作 一个
hysteretic 调往 调整器.
欠压
这 vsen 管脚 也 发现 当 这 核心 电压 falls
在下 0.9v 水平的. 这个 导致 pgood 至 go 低, 但是 有 非
其它 效应 在 运作 和 是不 latched. 那里 是 也
hysteresis 在 这个 发现 要点.
pwm 1
PGOOD
V
核心
EN
输出
转变
V
在
= 12v
图示 3. 开始-向上 的 一个 系统 运行 在 200khz
延迟 时间
PGOOD
V
核心
EN
v 竞赛
转变
V
在
= 12v
图示 4. 开始-向上 一个 系统 运行 在 200khz
延迟 时间
12V
供应
PGOOD
5V
V
核心
供应
图示 5. 供应 powered 用 atx 供应
延迟 时间
ISL6223
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