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资料编号:1082598
 
资料名称:PMV56XN
 
文件大小: 239930K
   
说明
 
介绍:
mTrenchMOS extremely low level FET
 
 


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© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003.
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日期 的 释放: 26 二月 2003 文档 顺序 号码: 9397 750 11096
内容
飞利浦 半导体
PMV56XN
µ
trenchmos™ 极其 低 水平的 场效应晶体管
1 描述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2 特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
3 产品
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
4 固定 信息
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
5 快 涉及 数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
6 限制的 值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
7 热的 特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
7.1 瞬时 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . 4
8 特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
9 包装 外形
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
10 修订 history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
11 数据 薄板 状态
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
12 定义
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
13 免责声明
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
14 商标
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
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