飞利浦 半导体
PMV56XN
µ
trenchmos™ 极其 低 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 26 二月 2003 7 的 12
9397 750 11096
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I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances 作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型 值.
03ag05
0
0.4
0.8
1.2
-60 0 60 120 180
T
j
(ºc)
V
gs(th)
(v)
最小值
典型值
03ah78
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0 0.4 0.8 1.2
I
D
(一个)
V
GS
(v)
最小值 典型值
03ae98
10
10
2
10
3
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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