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january 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
双 monostable 多谐振荡器
HEF4528B
MSI
注释
1. R
t
=5k
Ω
;c
t
= 15 pf; 为 其它 r
t
,c
t
结合体 和 C
t
<
0,01
µ
f 看 图表 图.4.
2. R
t
=10k
Ω
;c
t
= 1000 pf; 为 其它 r
t
,c
t
结合体 和 C
t
>
0,01
µ
f 使用 formula t
WO
= k.r
t
.c
t
.
在哪里: t
WO
= 输出 脉冲波 宽度 (s)
R
t
= 外部 定时 电阻 (
Ω
)
C
t
= 外部 定时 电容 (f)
K = 0,42 为 v
DD
=5V
K = 0,32 为 v
DD
=10V
K = 0,30 为 v
DD
=15V
3. T
amb
=
−
40 至
+
85
°
c;
∆
t
WO
是 关联 至 t
WO
在 t
amb
=25
°
c.
外部 定时 5 5
−
2000 k
Ω
电阻 10 R
t
5
−
2000 k
Ω
15 5
−
2000 k
Ω
外部 定时 5 非 限制
电容 10 C
t
非 限制
15 非 限制
V
DD
V
标识 最小值 典型值 最大值

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january 1995 6 飞利浦半导体产品规格双 monostable 多谐振荡器 HEF4528B MSI 注释 1. R t =5k Ω ;c t = 15 pf; 为其它 r t ,c t 结合体和 C t < 0,01 µ f 看图表图.4. 2. R t =10k Ω ;c t = 1000 pf; 为其它 r t ,c t 结合体和 C t > 0,01 µ f 使用 formula t WO = k.r t .c t . 在哪里: t WO = 输出脉冲波宽度 (s) R t = 外部定时电阻 ( Ω ) C t = 外部定时电容 (f) K = 0,42 为 v DD =5V K = 0,32 为 v DD =10V K = 0,30 为 v DD =15V 3. T amb = − 40 至 + 85 ° c; ∆ t WO 是关联至 t WO 在 t amb =25 ° c. 外部定时 5 5 − 2000 k Ω 电阻 10 R t 5 − 2000 k Ω 15 5 − 2000 k Ω 外部定时 5 非限制电容 10 C t 非限制 15 非限制 V DD V 标识最小值典型值最大值

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